张慧

作品数：2被引量：9H指数：2
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Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究被引量：7
《固体电子学研究与进展》2005年第3期422-426,共5页黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 卢建政 张慧 
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100～150°C.依据...
关键词：镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 卢瑟福背面散射分析 
深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2005年第2期167-171,230,共6页张慧 张利春 高玉芝 金海岩 
采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600～850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,...
关键词：肖特基二极管 镍硅 镍(铂)硅 深槽 
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