卢建政

作品数：2被引量：7H指数：1
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：硅化物PT快速热退火温度稳定性肖特基势垒二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究被引量：7
《固体电子学研究与进展》2005年第3期422-426,共5页黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 卢建政 张慧 
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100～150°C.依据...
关键词：镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 卢瑟福背面散射分析 
Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1197-1202,共6页黄伟 卢建政 张利春 高玉芝 金海岩 
提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变...
关键词：Ni(Zr)Si 热稳定性 X射线衍射 RAMAN光谱 肖特基二极管 
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