多晶硅发射区

作品数：5被引量：5H指数：1
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性能优良的RCA微波功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第2期178-182,共5页蔡勇 张利春 高玉芝 金海岩 叶红飞 张树丹 
首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱...
关键词：RCA 微波功率晶体管 多晶硅发射区 氯化层 电流增益 双极功率晶体管 直流增益 
多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析
《应用科学学报》1996年第3期325-331,共7页吴金 魏同立 
国家自然科学基金
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适...
关键词：多晶硅发射区 低温 双极晶体管 电流输运模型 
77K多晶硅发射区双极型晶体管被引量：3
《电子学报》1992年第8期23-28,共6页郑茳 王曙 王燕 吴金 魏同立 童勤义 
国家自然科学基金
本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。
关键词：77K 硅双极晶体管 发射区 
多晶硅发射区双极晶体管低温器件模型被引量：2
《微电子学与计算机》1991年第10期41-44,23,共5页吴金 郑茳 魏同立 
在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟...
关键词：双极晶体管 低温 器件模型 
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