硅双极晶体管

作品数：41被引量：44H指数：3
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功率晶体管匹配电路特性的两种测试方法
《电子世界》2020年第16期138-139,共2页马景芳 
现代射频和微波通信系统中,处于射频和微波发射机的功率放大器特性的精确表征至关重要。从传统的硅双极晶体管到砷化镓功率晶体管、LDMOS功率晶体管,乃至最新的大功率碳化硅和氮化镓功率晶体管,放大器设计人员为了从晶体管中获取越来越...
关键词：功率晶体管 微波通信系统 微波发射机 功率放大器 放大器设计 硅双极晶体管 功率电平 氮化镓 
不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性被引量：3
《高电压技术》2015年第5期1631-1636,共6页张希军 董康宁 杨洁 
国家自然科学基金(51107146;60971042)~~
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间...
关键词：硅双极晶体管 静电放电 机器模型 特征频率 基区宽度 电流增益 
基于晶体三极管的不同中子能谱等效性实验研究被引量：3
《核技术》2014年第6期60-65,共6页鲁艺 邱东 邹德惠 荣茹 
中国工程物理研究院科技发展基金项目(No.2012B0103006)资助
辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变...
关键词：辐射效应 损伤常数 等效性系数 硅双极晶体管 快中子临界装置 
高频小功率硅双极晶体管不同管脚端对静电放电失效的机理被引量：6
《高电压技术》2012年第9期2254-2258,共5页杨洁 张希军 武占成 
国家自然科学基金(51107146;60971042)~~
在人体模型静电放电(electrostatic discharge,ESD)的注入作用下,部分高频小功率硅双极晶体管对人体模型静电放电最敏感的管脚端对不再是普遍认为的发射极E-基极B间的EB反偏结,而是集电极C与基极B间的CB反偏结。为此,采用微观失效分析...
关键词：静电放电(ESD) 失效机理 双极晶体管 管脚端对 高频 场致击穿 硅 
高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法被引量：6
《高电压技术》2011年第1期164-169,共6页杨洁 殷中伟 张希军 王振兴 武占成 
国家自然科学基金(6087106660971042)~~
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对...
关键词：静电放电(ESD) 潜在性失效 硅双极晶体管 检测方法 高频小功率 低频噪声 漏电流 
静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用
《河北大学学报（自然科学版）》2010年第5期590-593,共4页杨洁 刘升 武占成 张希军 
国家自然科学基金资助项目(60871066;60971042)
为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效...
关键词：硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 加固 高频小功率 
中子位移损伤监测技术研究被引量：6
《原子能科学技术》2010年第B09期472-475,共4页邹德慧 高辉 鲁艺 艾自辉 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2010B0103011)
利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测...
关键词：位移损伤 能谱 硅双极晶体管 损伤常数 数据分析方法 
静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系被引量：2
《河北大学学报（自然科学版）》2007年第6期620-624,共5页杨洁 刘尚合 刘红兵 祁树锋 
国家自然科学基金重点资助项目(50237040);国家自然科学基金面上资助项目(60671044)
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将...
关键词：硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 注人次数 微波低噪声小功率 加速寿命实验 
Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍
《电视技术》2007年第8期49-49,共1页
LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管制造工艺和砷化镓制造工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层...
关键词：LDMOS 功率晶体管 金属氧化物半导体场效应管 优质 制造工艺 硅双极晶体管 器件封装 MOS工艺 
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
《半导体技术》2002年第12期68-71,共4页康爱国 孟祥提 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金项目 (10075029)
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下...
关键词：SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管 
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