SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较  

Comparison of the g-ray radiation effect of SiGe HBT and Si BJT

作　　者：康爱国[1] 孟祥提[1] 王吉林[2] 贾宏勇[2] 陈培毅[2] 钱佩信[2] 

机构地区：[1]清华大学核能技术设计研究院 [2]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《半导体技术》2002年第12期68-71,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金项目 (10075029)

摘　　要：比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。The changes of DC electrical performances of SiGe HBT and Si BJT after 400 krad(Si)γ-ray dose irradiation are compared. For irradiated SiGe HBT, in general, Ib increases,Ic decreasesand the DC current gain has little change. For irradiated Si BJT, however, Ib increases, Ic increasesgenerally, the DC current gain decreases obviously. It is shown that SiGe HBT has better anti-irradiation performance than Si BJT. The mechanism of radiation-induced performance changes isdiscussed.

关 键 词：SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]