孟祥提

作品数：11被引量：36H指数：4
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供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院更多>>
发文主题：Γ射线辐照中子辐照成像质量电子辐照CMOS图像传感器更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术医药卫生更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《核技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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关节软骨修复与相关细胞因子的作用被引量：9
《中国组织工程研究与临床康复》2011年第11期2047-2050,共4页史新立 胡堃 孟祥提 
背景:关节软骨损伤后几乎不能完全修复,在生理负荷下容易发生退行性改变,最终发展成骨性关节炎。利用细胞生长因子构建组织工程化软骨,修复重建受损关节软骨,为骨关节软骨疾病的治疗开辟了新的途径。目的:全面了解细胞因子特性与正常关...
关键词：软骨修复 细胞因子 关节软骨 生物材料 组织构建 
辐照对SiGe HBT增益的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期430-434,共5页孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10075029,10375034)
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷...
关键词：SiGe HBT 电子辐照 Γ射线辐照 Si BJT 直流增益 
中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期583-587,共5页孟祥提 康爱国 黄强 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10375034)
对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数;与γ射线辐照很不相同,中子辐照器件的暗输出图...
关键词：彩色CMOS图像传感器 中子辐照 Γ射线辐照 输出特性 辐照损伤 
电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析被引量：7
《核技术》2005年第3期213-216,共4页黄文韬 王吉林 刘志农 陈长春 陈培毅 钱佩信 孟祥提 
国家自然科学基金(10075029;69836020);国家"863"高技术研究发展计划项目(2002AA3Z1230) 资助
研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在...
关键词：电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性 
γ射线辐照对数字型彩色CMOS图像传感器输出特性的影响被引量：10
《原子能科学技术》2004年第z1期231-235,共5页孟祥提 康爱国 黄强 
国家自然科学基金(10075029;10375034);清华大学基础研究基金(JC2002058)资助项目
研究了数字型彩色CMOS图像传感器的γ射线辐照效应。采用不同γ射线注量进行积累辐照和单次辐照。积累辐照后捕获的图像在1.2kGy时变得非常差,而单次辐照后图像在1.8kGy时才变得非常差。积累辐照由于类似加电模式而比单次辐照时性能退...
关键词：半导体 CMOS图像传感器 辐照效应 输出特性 
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
《半导体技术》2002年第12期68-71,共4页康爱国 孟祥提 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金项目 (10075029)
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下...
关键词：SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管 
中子和电子辐照Si中的氧相关缺陷研究进展被引量：6
《人工晶体学报》2000年第S1期247-,共1页孟祥提 
氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方法及测量仪器的精度不同 ,所报道的A中心的能级和退火行为特...
关键词：硅单晶 中子辐照 电子辐照 氧相关缺陷 
富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第10期740-744,共5页马书懿 秦国刚 马振昌 宗婉华 吴正龙 姚光庆 孟祥提 
国家自然科学基金
以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电...
关键词：富硅二氧化硅 氧化硅薄膜 光致发光 
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征
《稀有金属》1996年第5期394-396,共3页左开芬 张纯 孟祥提 苏庆善 陆余发 
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态具有极端敏感性，正电子淹没技术（Ｐ...
关键词：中子辐照 直拉单晶硅 正电子淹没 点缺陷 
氩气氛NTDFZ－Si中的空位型缺陷
《稀有金属》1994年第5期387-390,374,共5页孟祥提 
用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为...
关键词：中子辐照 NTD硅 空位型缺陷 
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