NTD硅

作品数：11被引量：5H指数：1
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高通量堆NTD硅系统活化剂量计算被引量：1
《核电子学与探测技术》2016年第9期953-957,共5页雷鸣 周春林 李子彦 邹德光 刘鹏 蔡文超 
根据单晶硅及靶桶材料成分、测量的辐照孔道中子通量谱与辐照时间,采用点燃耗程序ORIGEN与蒙特卡罗程序MCNP耦合计算高通量堆中子嬗变掺杂(NTD)硅辐照系统活化后的外照射剂量当量率及各种活化产物放射性核素衰减变化情况,同时对各种活...
关键词：高通量堆 剂量当量 NTD硅 ORIGEN 
电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性
《电力电子技术》2001年第1期50-52,共3页戴培英 董友梅 司怀吉 
南省教委自然科学基金
报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。
关键词：电子辐照 等温退火 中子嬗变掺杂 NTD硅 半导体材料 
电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性被引量：1
《郑州大学学报（自然科学版）》1998年第3期40-43,共4页董友梅 戴培英 
河南省自然科学基金
本文研究了高阻（８０～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时、等温退火特性，获得了５个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３，Ｅ４能级是主要的复合中心．
关键词：NTD硅 电子辐照 退火 硅 少数载流子寿命 缺陷态 
NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性被引量：2
《郑州大学学报（自然科学版）》1997年第3期28-30,共3页戴培英 李燕山 董友梅 
河南省自然科学基金
本文研究了ＮＴＤ硅经电子辐照缺陷的等时退火特性，获得了五个缺陷能级。
关键词：NTD硅 电子辐照 缺陷能级 等时退火 硅 
电子辐照NTD硅的少数载流子寿命被引量：1
《郑州大学学报（自然科学版）》1997年第2期47-49,53,共4页董友梅 李燕山 戴培英 
河南省自然科学基金
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳...
关键词：电子辐照 NTD硅 少数载流子寿命 硅 热稳定性 
氩气氛NTDFZ－Si中的空位型缺陷
《稀有金属》1994年第5期387-390,374,共5页孟祥提 
用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为...
关键词：中子辐照 NTD硅 空位型缺陷 
单晶硅中子辐照技术
《中国原子能科学研究院年报》1993年第1期137-138,共2页陈会强 夏秋丽 等 
关键词：单晶硅 中子辐照技术 热中子辐照掺杂 NTD硅 掺杂精度 
电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命被引量：2
《固体电子学研究与进展》1991年第2期160-162,共3页戴培英 王国梁 刘锦成 姚天光 
近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p^+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得...
关键词：硅 电子辐照 缺陷 载流子寿命 
SJ2240中的中子嬗变掺杂技术和NTD硅质量问题的探讨
《电子工业标准化通讯》1990年第5期33-34,17,共3页卢存纲 
关键词：中子嬗变 NYD硅 掺杂 
压敏器件用直拉硅单晶的中子嬗变掺杂工艺
《中国核科技报告》1990年第S4期59-60,共2页陈炳贤 高秀清 
对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶痕量重金属杂质进行中子活化分析。(2)在同样深辐照条件下对CZ与FZ单晶的β-低本底剩余放射性进行跟踪测量...
关键词：压敏器 中子嬗变掺杂 直拉硅单晶 CZ硅 低阻 单晶生长工艺 掺杂精度 NTD硅 微区不均匀性 原子能科学 
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