NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性  

ISOCHRONAL ANNEALING CHARACTERISTIC PROPERTIES OF NTDSi ELECTRONIC RADIATION DEFECTS

作　　者：戴培英[1] 李燕山 董友梅[2] 

机构地区：[1]郑州大学物理工程学院 [2]郑州大学图书馆

出　　处：《郑州大学学报（自然科学版）》1997年第3期28-30,共3页Journal of Zhengzhou University (Natural Science)

基　　金：河南省自然科学基金

摘　　要：本文研究了ＮＴＤ硅经电子辐照缺陷的等时退火特性，获得了五个缺陷能级。Using C 60 thin Layers as intemediate and normal cleposition conditions, the polycrystalling diamond films is deposited on Si(100) surface without higher substratest negative bias by MWPCVD

关 键 词：NTD硅 电子辐照 缺陷能级 等时退火 硅 

分 类 号：TN304.1[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]