电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命  

作　　者：戴培英[1] 王国梁[1] 刘锦成 姚天光 

机构地区：[1]郑州大学物理系 [2]洛阳单晶硅厂

出　　处：《固体电子学研究与进展》1991年第2期160-162,共3页Research & Progress of SSE

摘　　要：近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p^+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论.

关 键 词：硅 电子辐照 缺陷 载流子寿命 

分 类 号：O47[理学—半导体物理]