单晶硅中子辐照技术  

作　　者：陈会强 夏秋丽 等 

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》1993年第1期137-138,共2页

关 键 词：单晶硅 中子辐照技术 热中子辐照掺杂 NTD硅 掺杂精度 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN305.3