氩气氛NTDFZ－Si中的空位型缺陷  

作　　者：孟祥提[1] 

机构地区：[1]清华大学核能技术设计研究院

出　　处：《稀有金属》1994年第5期387-390,374,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为１０％～１８％的单空位型缺陷；低注入量中子辐照的主要缺陷是单空位型，较高注入量中子辐照时单空位和双空位型缺陷浓度均较高。

关 键 词：中子辐照 NTD硅 空位型缺陷 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]