电子辐照NTD硅的少数载流子寿命  

MINORITY CARRIER LIFETIME IN NTD-SI AFTER ELECTRON IRRADIATION

作　　者：董友梅[1] 李燕山[2] 戴培英[3] 

机构地区：[1]郑州大学图书馆,郑州450052 [2]中州大学工程系 [3]郑州大学物理工程学院

出　　处：《郑州大学学报（自然科学版）》1997年第2期47-49,53,共4页Journal of Zhengzhou University (Natural Science)

基　　金：河南省自然科学基金

摘　　要：本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳定性。In this paper the measurement results of lifetime τ of the minority carrier in NTD—si after electron irradiation are analysed.The linear relation between lifetime τ and tem- perature T(77K～300K)as well as the relative deviation of lifetime(|△τ|/τ^-=|τ_j-τ^-|/τ^-)≤ 10% are obtained before annealing.These results show that the sample homogeneity is fairly well.The values of τ after isochronous and isothermal annealing exhibit good thermal stability of the sample.

关 键 词：电子辐照 NTD硅 少数载流子寿命 硅 热稳定性 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O471[理学—半导体物理]