少数载流子寿命

作品数：59被引量：94H指数：4
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InGaP/GaAs/InGaAs倒装结构三结太阳电池的辐照损伤仿真分析被引量：2
《航天器环境工程》2022年第6期562-568,共7页王彪 方美华 陆宏波 周宏涛 陈建飞 梁筝 魏志勇 
国家自然科学基金青年基金项目“晶格失配高效多结III-V族太阳能电池在空间捕获辐射条件下的性能衰减研究”(编号:11405085)。
为了保证倒装结构三结电池在空间辐射环境中使用的可靠性,揭示倒装工艺引入位错缺陷对电池辐射衰减的影响,文章基于泊松方程和载流子传输方程建立了倒装结构InGaP/GaAs/InGaAs三结太阳电池的物理模型,在地面等效实验验证的基础上,研究...
关键词：倒装结构三结太阳电池 性能衰减 位错缺陷 少数载流子寿命 
基于高频光电导法半导体少数载流子寿命测量系统的设计与实现
《宇航计测技术》2022年第5期38-43,共6页赵昭 高子兴 李洁 
基于高频光电导衰减法半导体少数载流子寿命测量基本原理,设计了半导体少子寿命测量系统,并在二极管检波电路的基础上,对信号处理系统进行了改进。该信号处理系统采用反馈式检波电路,相比于传统二极管检波电路,运用运算放大器的反馈原...
关键词：高频光电导衰减法 少子寿命 信号处理 运算放大器 
太阳能电池用晶体硅标准现状分析
《中国标准化》2022年第11期89-92,共4页王丽华 韩春蕾 张婷 卜延青 
本文通过介绍太阳能电池用晶体硅现行各级标准整体现状,着重分析了现行太阳能电池用晶体硅产品标准及检测方法标准中存在的问题,并提出改善建议,对了解行业质量状况及合理制修订标准具有指导意义。
关键词：太阳能电池 少数载流子寿命 晶体完整性 晶体缺陷密度 标准 
150keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响被引量：1
《原子能科学技术》2019年第11期2309-2316,共8页颜媛媛 方美华 汤晓斌 陈飞达 
国家自然科学基金资助项目(11405085);上海航天科技创新基金资助项目(SAST2016109)
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象,制备与三结电池中GaAs子电池相...
关键词：GaAs太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命 
使用太赫兹快速探测器测量硅少数载流子寿命
《红外与激光工程》2019年第9期145-150,共6页张钊 陈勰宇 田震 
国家重点研发计划(2017YFA0701004);国家自然科学基金(61722509,61675145,61735012)
利用脉冲触发信号在半导体中产生非平衡态载流子的方式,提出一种使用太赫兹连续源和超快速响应探头测量半导体少数载流子寿命的方法,用于表征半导体的瞬态载流子动力学过程。根据上述设计原理及思路,以泵浦光作为周期性激励信号,搭建出...
关键词：太赫兹 光泵 单晶硅 少数载流子寿命 
高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析被引量：1
《仪器仪表用户》2019年第8期18-21,44,共5页王昕 田蕾 李俊生 叶灿明 王世进 
高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能要求、测试结果的处理以及如何提高测量的重复性进行了深入分析。
关键词：直流光电导法 高频光电导法 注入比 少数载流子寿命 载流子复合寿命 
阶跃恢复二极管参数对窄脉冲波形的影响研究被引量：1
《兵工学报》2017年第8期1490-1497,共8页李萌 黄忠华 沈磊 
武器装备预先研究项目(62201040601)
阶跃恢复二极管是超宽带引信产生窄脉冲信号的核心器件,阶跃恢复二极管参数影响窄脉冲信号的幅度和宽度。依据半导体器件理论和阶跃恢复二极管不同的工作状态,建立阶跃恢复二极管模型,分析阶跃恢复二极管参数对二极管正偏导纳和反偏势...
关键词：兵器科学与技术 超宽带引信 阶跃恢复二极管 窄脉冲 少数载流子寿命 零偏结电容 
碱腐蚀减薄硅片过程中少子寿命性质研究
《渤海大学学报（自然科学版）》2015年第4期349-353,共5页陆晓东 张鹏 周涛 赵洋 王泽来 
国家自然科学基金项目(No:11304020);辽宁省教育厅项目(No:L2012401)
通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现有的切片工艺条件下,腐蚀10分钟即可将表面损伤层完全去除,使超薄晶片显示出体内和表面寿命共同决定的较...
关键词：太阳能电池 超薄晶硅片 少数载流子寿命 
多晶硅少数载流子寿命的分析与检测被引量：1
《电子测试》2015年第10X期67-69,共3页潘华清 林硕 
江西省教育厅科技课题GJJ11672;闽南师范大学博士科研启动金:2002L21332(Sn S基纳米结构太阳电池模拟研究)
少数载流子寿命(以下简称少子寿命)是衡量晶硅半导体性能的重要参数。在实际生产中少子寿命受到多种因素的影响,如硅片厚度、杂质含量、晶粒均匀性、内部缺陷等。检测少子寿命主要的方法有三大类,根据载流子在半导体中产生的不同途径而...
关键词：多晶硅 少数载流子寿命 分析 检测 
在高压碳化硅材料中实现载流子寿命增长
《半导体信息》2015年第5期30-31,共2页科信 
近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行...
关键词：碳化硅材料 少数载流子寿命 层电阻 新型产品 低电阻 开路电压 导通电阻 日本大学 最终结构 表面钝 
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