在高压碳化硅材料中实现载流子寿命增长  

作　　者：科信 

出　　处：《半导体信息》2015年第5期30-31,共2页Semiconductor Information

摘　　要：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料。

关 键 词：碳化硅材料 少数载流子寿命 层电阻 新型产品 低电阻 开路电压 导通电阻 日本大学 最终结构 表面钝 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]