层电阻

作品数：97被引量：191H指数：7
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相关作者：孙以材刘新福刘东升徐秋霞刘马宝更多>>
相关机构：河北工业大学日东电工株式会社中芯国际集成电路制造(上海)有限公司三星SDI株式会社更多>>
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曲面电路中喷墨打印薄层电阻的可靠性被引量：1
《电子工艺技术》2024年第4期12-14,共3页邓超 王天石 张怡 刘镜波 
国家科技部重点研发计划(2023YFB4603904)。
针对曲面电路中无法采用片式贴片电阻回流焊接的难题,创新地采用喷墨打印技术打印曲面薄层电阻,开展了高温环境对薄层电阻阻值变化的影响研究。经测试,喷墨打印曲面电路中薄层电阻在经过高温可靠性测试后,薄层电阻结合力和阻值变化均能...
关键词：曲面电路 薄层电阻 喷墨打印 
基于导电油墨层电阻层析成像的混凝土裂缝损伤识别
《传感技术学报》2024年第6期1084-1089,共6页蔡晨宁 陈少林 刘丽娜 
为解决混凝土裂缝损伤的监测问题,提出利用石墨烯碳油墨在混凝土表面制备导电层,利用电阻层析成像技术进行裂缝损伤识别。通过比较损伤前后导电层边界电压变化,利用TV-SB正则化算法重建损伤引起的电导率变化分布图像以确定裂缝损伤情况...
关键词：混凝土结构监测 电阻层析成像 裂缝损伤识别 导电油墨层 
工艺参数对氮化铝陶瓷表面激光金属化层电阻的影响被引量：1
《表面技术》2023年第5期398-404,共7页徐帅 赵兴科 赵增磊 
广东省重点领域研发计划激光与增材制造专题(2019B90907002);佛山市科技创新专项(BK21BE003)。
目的 提高氮化铝陶瓷表面激光金属化层的导电性能。方法 采用正交试验设计方案,使用30 W纳秒光纤激光打标机制备了氮化铝陶瓷表面激光金属化试样,测量了金属层的电阻。通过极差分析和方差分析方法分析了激光工艺参数及其交互作用对氮化...
关键词：氮化铝 陶瓷基板 表面金属化 电阻 正交试验 激光能量密度 扫描次数 
大直径高长径比银纳米线的合成及其性能被引量：2
《辽宁石油化工大学学报》2022年第2期1-7,共7页杨聪颖 宋雨方 虞灿义 杨帅 钟炜锋 张洪吉 
国家自然科学基金项目(BK20150135)。
采用改进的乙二醇法,通过调控Cl-物质的量、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)物质的量和反应温度,高效合成了直径约130 nm、长度约150μm、长径比约1 150的银纳米线(AgNWs)。所有原料在反应前一次性投入,无需使用注射泵等设备严格控制组分含量,合成...
关键词：高长径比 大直径 过滤 高透射率 低薄层电阻 
基于Labview的四探针法和卡文迪许扭秤测量半导体薄层电阻综合性实验设计被引量：2
《大学物理实验》2022年第1期74-78,共5页黄林 丁晓夏 韩凌云 唐一文 
华中师范大学校级教学研究项目——以创新创业能力培养驱动大学物理实践教学体系改革研究;华中师范大学中央高校基本科研业务费专项资金(CCNU19KYZHSY01);湖北省高等学校实验室研究项目(HBSY2020-47)。
设计了“基于四探针法和卡文迪许扭秤”测量半导体薄层电阻(或电阻率)的实验装置,该装置可通过“扭秤”完成微小电流(或电压)的测量,继而通过相关公式,得到待测样品的电阻(或电阻率)。为了实现测量的自动化,该装置采用Labview编程。
关键词：四探针 卡文迪许扭秤 LABVIEW 
四探针法测量薄层电阻方法对比被引量：4
《信息记录材料》2020年第3期245-246,共2页姚子祥 刘洪山 
2020.01华南农业大学《微电子技术》课程思政示范项目批文号20191220。
通过分析对比常规直线四探针、双电法、范德堡法的测试原理及优缺点,有如下结论:在待测样品较厚时,以常规四探针为宜;对于较薄样品中双电法测试精度更高;范德堡法经改进后,更加适合微区薄层电阻的测量。
关键词：四探针 薄层电阻 电阻率 
钛与不锈钢的夹Nb层电阻点焊被引量：2
《材料热处理学报》2019年第8期181-186,共6页任柯旭 马恒波 李丹 邱然锋 石红信 
国家自然科学基金(51875177);河南省国际合作项目(182102410066);河南省高校科技创新人才计划项目(16HASTIT050)
以100μm厚的Nb箔作为中间层,采用电阻点焊来对钛与不锈钢进行焊接,对焊接接头熔核区的微观组织的进行观察分析,研究了影响Ti/Nb/SUS304点焊接头熔核大小和接头抗剪力的焊接参数。结果表明:焊接接头靠近Ti侧有(α-Ti)+TiFe形成,靠近SUS...
关键词：钛 不锈钢 电阻点焊 铌 
Ni基硅化物受退火方式影响的研究被引量：1
《微电子学》2019年第2期270-274,共5页盛捷 罗军 吕亮 赵志远 肖志强 
国家科技重大02专项资助项目(2011ZX02103-003);国家高技术研究开发863计划资助项目(2015AA010601);微电子研究所微电子器件与集成技术开放项目;中国科学院和中国科学院青年创新促进协会资助项目(2015097)
硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中。工艺中,加热条件的变化会导致生成不同的Ni基硅化物,均一性也会根据加热方式产生变化,影响器件的性能。...
关键词：镍硅化物 浸入式退火 激光退火 薄层电阻 
500kV断路器断口电容及介损测量影响因素研究被引量：8
《电力电容器与无功补偿》2019年第1期71-76,共6页李威 张进 黄劼怡 张国旗 王晓 罗磊 
500kV断路器的断口电容和介质损耗因素tanδ是反映设备运行状态的重要参数,需定期进行例行试验,但试验数据易受到现场条件影响。某次试验现场分合指定开关后,采用无屏蔽线的正接线测得的断口电容与介损值远超规定的限值范围,根据静电声...
关键词：500KV断路器 断口电容 介质损耗因素 感应电压 油漆层电阻 
透明电极中银纳米线制备方法的研究被引量：1
《高分子通报》2018年第8期43-47,共5页李思敏 尚颖超 胡继文 廖兵 林树东 庞浩 
由于质脆及成本昂贵等缺点,传统的透明导电材料铟锡氧化物(ITO)已不能满足柔性电子设备的需求。银纳米线具有高导电率、良好柔软性以及高透明度,被公认为是最具前景的ITO替代材料。它可以广泛应用于柔性透明电子设备,如可拉伸太阳能电...
关键词：银纳米线 电极 透明 柔性 薄层电阻 
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