碱腐蚀减薄硅片过程中少子寿命性质研究  

In the process of alkali corrosion thinning silicon the nature of the minority carrier lifetime study

作　　者：陆晓东[1] 张鹏[1] 周涛[1] 赵洋[1] 王泽来[1] 

机构地区：[1]渤海大学新能源学院,辽宁锦州121013

出　　处：《渤海大学学报（自然科学版）》2015年第4期349-353,共5页Journal of Bohai University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金项目(No:11304020);辽宁省教育厅项目(No:L2012401)

摘　　要：通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现有的切片工艺条件下,腐蚀10分钟即可将表面损伤层完全去除,使超薄晶片显示出体内和表面寿命共同决定的较大少子寿命值.By the high -frequency photoconductive decay method measurement of sihcon wafers to minority carrier lifetime, analysis of alkali corrosion rate, influence of surface defect states on the minority cartier life- time, Get： under the existing slicing process conditions, corrosion for lO minutes, the surface damage layer com- pletely removed, the ultrathin chip shows a large minority carrier lifetime value which is determined by both the body and the surface life.

关 键 词：太阳能电池 超薄晶硅片 少数载流子寿命 

分 类 号：TK514[动力工程及工程热物理—热能工程] C934.1[经济管理—管理学]