直拉硅单晶

作品数：108被引量：227H指数：8
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基于Borderline-SMOTE-LightGBM的直拉硅单晶放肩断棱预测
《制造业自动化》2023年第11期172-177,共6页韩金星 
随着集成电路技术的飞速发展,硅单晶作为最重要的半导体材料,对其品质的要求也日益提升。在多场耦合的复杂高温高压环境下,直拉硅单晶的生长过程具有明显的非线性特征,难以建立准确的机理模型,同时硅单晶生产数据存在类别不平衡问题。...
关键词：硅单晶 不平衡数据 过采样 集成学习 
基于模糊神经网络的模型预测硅单晶直径控制
《青海大学学报》2023年第4期92-99,共8页彭鑫 高德东 王珊 徐圣哲 
青海省科学技术厅项目(2022-GX-C07);西宁市科学技术局项目(2021-Y-01)。
为了生产大尺寸、高质量、低能耗的直拉单晶硅棒,文中通过在直拉硅单晶生产车间采集的大量数据,通过模糊神经网络(Fuzzy Neural Networks,FNN)和模型预测控制(Model predic-tive control,MPC)进行建模,得到了等径阶段的直径预测模型和...
关键词：直拉硅单晶 模糊神经网络 直径预测 模型预测控制 直径控制 
水平超导磁场直拉法硅单晶熔体过热现象被引量：1
《稀有金属》2023年第7期1050-1058,共9页单志远 秦瑞锋 宁永铎 李洋 张果虎 
国家重点研发计划项目(2017YFB0305603)资助
基于水平超导磁场及特定热场结构,对直拉法硅单晶生长过程中的熔体过热现象进行了数值模拟和实验研究。在数值模拟中发现了熔体对流和温度变化的特殊趋势,随后在实验中发现了相应位置晶体直径突然收缩现象,依此推测拉晶过程中生长界面...
关键词：水平超导磁场 直拉硅单晶 三维(3D)数值模拟 熔体过热 
∅300 mm直拉硅单晶生长过程中的变晶现象及其影响因素被引量：1
《人工晶体学报》2022年第7期1185-1193,共9页张晶 刘丁 
国家自然科学基金青年科学基金(62003260);国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(62127809)。
直拉法生长直径300 mm硅单晶过程中,直径均匀是获得高品质硅单晶的关键。在生产实践中发现,当硅晶体进入等径生长阶段,过高的提拉速度会引起晶体发生扭晶现象,导致晶线断裂随即变晶,对等径生长不利。本文采用数值模拟和理论相结合的方...
关键词：直拉硅单晶 扭晶 数值模拟 提拉速度 晶体旋转速度 过冷区 
直拉硅单晶的机械强度:锗和氮共掺杂的效应
《物理学报》2021年第9期331-338,共8页孙玉鑫 吴德凡 赵统 兰武 杨德仁 马向阳 
国家自然科学基金(批准号:61674126,51532007,61721005)资助的课题。
作为集成电路(ICs)的基础材料,直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素,而且在很大程度上决定了ICs芯片在测试和封装过程中出现的失效情况.目前,ICs的器件特征尺寸仍在继续减小,由此带来...
关键词：直拉硅单晶 机械强度 位错滑移 共掺杂 锗 氮 
石英坩埚对大直径直拉硅单晶生长的影响被引量：4
《电子工艺技术》2021年第1期46-49,共4页莫宇 张颖武 韩焕鹏 赵堃 李明佳 
大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然...
关键词：石英坩埚 无位错 直拉硅单晶 粗糙度 金属浓度 
直拉硅单晶非均匀相变温度场最优控制被引量：2
《控制理论与应用》2021年第1期44-52,共9页张晶 刘丁 杜燕军 
国家自然科学基金项目(61533014);陕西省自然科学基金(2019JQ–734)资助。
针对直拉硅单晶固液界面相变温度场的非均匀性导致晶体直径不均匀问题,提出一种基于偏微分方程(PDE)模型的温度场最优控制策略.考虑生长速率波动的影响,建立了一种改进的提拉动力学模型,确定了域边界演化动力学关系.研究基于抛物型PDE...
关键词：直拉硅单晶 相变温度场 生长直径 抛物型PDE 分布参数系统 
基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模被引量：2
《仪器仪表学报》2020年第10期277-286,共10页万银 刘丁 任俊超 刘聪聪 
国家自然科学基金重点项目(61533014);西安市科技计划项目(201809173CY2JC15);陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-645)资助
在直拉硅单晶生长过程中,晶体质量与固液界面V/G密切相关,实现V/G的在线监测,对于生长低缺陷、无位错的大尺寸硅单晶至关重要。然而,在实际工业生产中V/G的直接获取异常困难。针对该问题,提出一种基于栈式自编码网络的软测量模型SAE-ELM...
关键词：直拉硅单晶生长 栈式自编码网络 固液界面V/G 软测量建模 
定拉速生长对Φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析被引量：2
《人工晶体学报》2020年第5期811-814,823,共5页高宇 朱亮 张俊 娄中士 
作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态。恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少。本研究实现了...
关键词：硅单晶 直拉法 提拉速度 
超导水平磁场结构对Φ300 mm直拉硅单晶固液界面影响的三维数值模拟被引量：2
《人工晶体学报》2020年第4期600-606,共7页张晶 杜燕军 刘丁 任俊超 
国家自然科学基金重点项目(61533014);陕西省自然科学基础研究计划(2019JQ-734)。
针对不同超导水平磁场结构的磁力线分布对Φ300 mm直拉硅单晶固液界面影响问题,本文采用一种基于格子Boltzmann方法的耦合热格子模型,解决温度场与速度场耦合建模问题,并对不同结构的超导磁场作用下的晶体生长进行了三维数值模拟。结果...
关键词：超导水平磁场结构 直拉硅单晶 固液界面 数值模拟 
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