电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性  

ELECTRONIC RADIATION DEFECTS ANNEALING CHARACTERISTIC PROPERTIES OF HIGH RESISTANCE NTD SI

作　　者：董友梅[1] 戴培英[2] 

机构地区：[1]郑州大学图书馆 [2]郑州大学物理工程学院

出　　处：《郑州大学学报（自然科学版）》1998年第3期40-43,共4页Journal of Zhengzhou University (Natural Science)

基　　金：河南省自然科学基金

摘　　要：本文研究了高阻（８０～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时、等温退火特性，获得了５个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３，Ｅ４能级是主要的复合中心．Made some scientific research on the electronic radiation defect states isochronal and isothermal anneling characteristic properties of high resistance (80￣110Ω·cm) NTD FZ Si P +n in vacuum,and obtain five defect energy evels.Results show that E 3 and E 4 levels are moninly recombination centers.

关 键 词：NTD硅 电子辐照 退火 硅 少数载流子寿命 缺陷态 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]