中子嬗变

作品数：39被引量：8H指数：1
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硅单晶辐照中子注量测量的反应截面影响研究
《核技术》2021年第11期67-72,共6页王云波 操节宝 吴清丽 陈浩 李延鹏 邹鹏 刘荣 唐锡定 邓才玉 王万金 
中国核动力研究设计院核技术应用基金(No.JJXM-HJSY-2004)资助。
活化法测量硅单晶中子嬗变掺杂的辐照热中子注量时,由于活化探测器与硅的目标反应截面随中子能量的变化曲线存在一定差异,导致测量值可能存在较大偏差。为了抑制反应截面差异引入的测量影响,基于Stoughton-Halperin约定关系,确立了二元...
关键词：硅单晶 中子嬗变掺杂 热中子注量 活化法 反应截面 
天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
《四川大学学报（自然科学版）》2011年第3期651-654,共4页范立伟 卢铁城 敦少博 胡又文 陈青云 胡强 游草风 张松宝 唐彬 代君龙 
国家自然科学基金委员-中国工程物理研究院联合基金(10376020)
采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小.当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著...
关键词：天然Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 拉曼光谱 X射线荧光光谱 
中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质
《物理学报》2010年第9期6473-6479,共7页陈青云 孟川民 卢铁城 徐明 胡又文 
国家自然科学基金委-中国工程物理研究院联合基金(批准号:10376020);教育部新世纪优秀人才培养计划基金(批准号:NCET-04-0874);四川省青年科技基金(批准号:08ZQ026-025)资助的课题~~
采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体...
关键词：Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 第一性原理 空位缺陷 
Ga掺杂^(70)Ge纳米晶的制备与研究被引量：1
《四川大学学报（自然科学版）》2009年第3期756-760,共5页游草风 卢铁城 胡又文 陈青云 敦少博 胡强 范立伟 张松宝 唐彬 代君龙 
国家自然科学基金委员-中国工程物理研究院联合基金(10376020)
通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断...
关键词：Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 光致发光 激光拉曼散射 
掺杂对锗纳米晶薄膜电输运的影响
《汕头大学学报（自然科学版）》2007年第2期47-52,共6页张盛华 卢铁城 敦少博 胡强 赵建君 何捷 
利用离子注入然后退火的方法制备镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜,再利用中子嬗变方法,对镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜进行精确均匀掺杂,用激光拉曼散射测量表征锗纳米晶的存在,测量嬗变掺杂前后样品的I-U曲线和lnR-1/T曲线.结果表明...
关键词：锗纳米晶 中子嬗变掺杂 电输运 
300#反应堆单晶硅中子嬗变掺杂计算
《核电子学与探测技术》2005年第6期712-714,723,共4页陈炜 
介绍了300#反应堆单晶硅中子嬗变掺杂辐照量计算的原理,给出了计算软件类结构及其主要类中的实现函数,描述了该程序在辐照计算,原始和出厂清单处理,以及各类原始数据处理方面的功能和特点,对相应的界面都给出了图示,并对软件的特性和应...
关键词：单晶硅 中子嬗变掺杂 计算 
中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
《电力电子》2003年第6期29-30,8,共3页王正元 
评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突...
关键词：中子嬗变掺杂硅 无条纹硅 电力半导体器件 高电压 大电流 
科技兴企 敢为人先——宁晋县电力局单晶硅生产发展纪实
《农电管理》2002年第3期30-31,共2页温如昌 柳辉强 李素现 
关键词：单晶硅生产 宁晋县 科技兴企 单晶硅棒 太阳能级硅 电力局 半导体 科技创新 太阳能电站 中子嬗变掺杂 
电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性
《电力电子技术》2001年第1期50-52,共3页戴培英 董友梅 司怀吉 
南省教委自然科学基金
报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。
关键词：电子辐照 等温退火 中子嬗变掺杂 NTD硅 半导体材料 
主副并举 企业腾飞
《农电管理》2000年第7期36-37,共2页温如昌 柳辉强 李素现 
关键词：发展思路 经济效益 单晶硅生产 电力系统 创办高科技产业 宁晋县 国民经济增长 发展机遇 中子嬗变掺杂 农电系统 
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