王正元

作品数：11被引量：22H指数：3
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供职机构：北京电力电子新技术研究开发中心更多>>
发文主题：电力电子技术电力电子电力半导体器件IGBT绝缘栅双极晶体管更多>>
发文领域：电气工程电子电信机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《自动化博览》《自动化信息》《照明工程学报》《电力电子》更多>>
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IGBT技术的发展历史和最新进展被引量：3
《电力电子》2004年第5期7-12,共6页王正元 由宇义珍 宋高升 
自从第一个IGBT的概念被在论文中介绍以来，已有20年过去了。在此期间，IGBT芯片技术以其性能的重大改进经历了若干代的创新。其后，包括IGBT芯片在内的当代IGBT器件、IGBT模块和智能化功率模块(IPM)已被公认为是最受欢迎的电力半导体...
关键词：绝缘栅双极晶体管 发展历史 最新进展 
中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
《电力电子》2003年第6期29-30,8,共3页王正元 
评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突...
关键词：中子嬗变掺杂硅 无条纹硅 电力半导体器件 高电压 大电流 
迭层功率母线及其在电力电子装置中的应用被引量：6
《电力电子》2003年第2期36-38,共3页王正元 张正南 
1 前言在电力电子技术和应用装置向高频化发展时,系统中特别是连接线的寄生参数越来越成为产生巨大电应力,威胁电力电子装置可靠性的重要因素。运行经验表明,采用GTR器件,开关频率在2kHz左右时,变频装置的总寄生电感不应超过60nH,而采用...
关键词：电力电子装置 母线 绝缘层 IGBT 寄生电感 迭层 逆变器 电子器件 导体材料 爬电距离 
电力电子及其应用的十年展望(下)
《电力电子》2003年第2期3-5,44,共4页王正元 
电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善。
关键词：电力电子技术 电力半导体器件 工艺 应用 
电力电子及其应用的十年展望(上)
《电力电子》2003年第1期4-9,共6页王正元 
电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展。
关键词：电力电子技术 电力半导体器件 工艺 应用 
IGBT构思的实现是电力电子技术走向高频大功率化的里程碑被引量：2
《电力电子》2003年第Z1期58-61,共4页王正元 
介绍并点评了IGBT(当时称为IGT)处于襁褓时期的经典论文——美籍印度人B.J.Baliga博士1983年发表的"绝缘栅晶体管(IGT)——一种新型功率开关器件"。分析了该论文的背景。20年来,IGBT构思的形成和实现,对电力电子技术的发展起到重大推动...
关键词：绝缘栅双极晶体管 电力电子 高频大功率化 
自动化、电力电子和电动机的发展被引量：1
《自动化博览》2002年第6期1-4,共4页王正元 
介绍了电力电子技术的成熟应用对电动机的优化运行,以及对电动机的设计制造二者的推动和发展。电力电子技术已成为自动化进程中物料流、能源流和智慧流三者汇流的重要接口。
关键词：自动化 电力电子技术 电动机 发展 
面向新世纪的电力电子技术被引量：7
《电源技术应用》2001年第3期47-50,共4页王正元 
以信息处理为对象的微电子技术及其在计算机和通信领域中的飞速发展,是20世纪科学技术实用化的一大盛事:古人幻想的'千里眼'、'顺风耳'已成现实。然而,人类文明赖以存在所需的能源、资源(原材料)
关键词：电力电子技术 信息技术 电力半导体器件 机电产品 
走向新世纪的电力电子新技术
《世界电子元器件》1996年第11期2-6,共5页王正元 
以功率场控器件(IGBT管和功率MOSFET管为代表)应用为基础的电力电子新技术经过二十世纪九十年代向着高频化方向的迅速发展,已被世人接受为一种高效节能节材、实现对传统机电产品进行智能化、小型轻量化和机电一体化改造的关键高新技术...
关键词：电力电子技术 计算机 可靠性 
中国电子镇流器发展概述被引量：2
《照明工程学报》1996年第2期1-7,共7页王正元 
随着中国政府对照明节能的日益重视和美国等国在“节能法”推动下，对廉价优质电子镇流器 的需求的日益高涨，作为照明电子重要组成部分之一的电子镇流器，在中国同样得到迅速的发展。 它经历了普通型、无源滤波型及有源滤波──绿色型...
关键词：电子镇流器 制造 发展 
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