IGBT技术的发展历史和最新进展  

作　　者：王正元[1] 由宇义珍 宋高升 

机构地区：[1]北京电力电子新技术研究开发中心,北京100088,中国 [2]三菱电机公司功率器件制作所,福冈819-0192,日本 [3]科菱机电(上海)公司半导体事业部,上海200336,中国

出　　处：《电力电子》2004年第5期7-12,共6页Power Electronics

摘　　要：自从第一个IGBT的概念被在论文中介绍以来，已有20年过去了。在此期间，IGBT芯片技术以其性能的重大改进经历了若干代的创新。其后，包括IGBT芯片在内的当代IGBT器件、IGBT模块和智能化功率模块(IPM)已被公认为是最受欢迎的电力半导体器件。对于IGBT器件性能的改进来说。最重要的事项就是减少功耗和保持安全工作区(SOA)。在这些事项中，始终存在着对其性能参数间的战略折衷。这些折衷往往表现为被一种新的芯片技术带来的新优化。本文将总结IGBT技术的历史和最新进展。

关 键 词：绝缘栅双极晶体管 发展历史 最新进展 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]