电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析  

Electrical performance analysis of electron irradiated SiGe HBT and Si BJT

作　　者：黄文韬[1] 王吉林[1] 刘志农[1] 陈长春[1] 陈培毅[1] 钱佩信[1] 孟祥提[2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]清华大学核能设计研究院,北京100084

出　　处：《核技术》2005年第3期213-216,共4页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金(10075029;69836020);国家"863"高技术研究发展计划项目(2002AA3Z1230) 资助

摘　　要：研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。The change of electrical performances of 1 MeV electron irradiated silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied. After electron irradiation, the collector current IC decreased while the base current IB did not change, and the current gain β decreased for SiGe HBT. For conventional Si BJT, both IC and IB increased and β decreased much more obviously than SiGe HBT at the same fluence. It was shown that SiGe HBT had a better anti-radiation performance than Si BJT. The mechanism of electrical performance changes induced by irradiation was preliminarily discussed.

关 键 词：电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性 

分 类 号：O571.33[理学—粒子物理与原子核物理] O472.4[理学—物理]