钱佩信

作品数：75被引量：88H指数：5
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发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《中国集成电路》《微纳电子技术》《仪表技术与传感器》更多>>
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辐照对SiGe HBT增益的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期430-434,共5页孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10075029,10375034)
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷...
关键词：SiGe HBT 电子辐照 Γ射线辐照 Si BJT 直流增益 
UHV/CVD生长本征硅外延层的研究
《微电子学》2006年第2期132-135,共4页岳磊 陈长春 许军 刘志弘 钱佩信 
在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延...
关键词：超高真空化学气相淀积 锗硅器件 异质结双极型晶体管 本征硅外延 
Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究
《微电子学》2006年第1期33-35,共3页李翊 张伟 许军 陈长春 单一林 熊小义 李希有 刘志弘 钱佩信 
国家高技术发展研究(863)计划资助项目(2002AA1Z1610)
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（S...
关键词：Ti基硅化物 SIGE HBT RTA 温度特性 
离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期140-143,共4页许向东 郭福隆 周卫 刘志弘 张兆健 李希有 张伟 钱佩信 
通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达...
关键词：弛豫SiGe UHV/CVD 离子注入 
两种自主开发的图形外延SiGe工艺
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期389-391,共3页徐阳 王飞 许军 刘志弘 钱佩信 
使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.
关键词：图形外延 SIGE 超高真空化学气相淀积 
用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期179-182,共4页王敬 梁仁荣 徐阳 刘志弘 许军 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476017)
利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,...
关键词：应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积 
TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2
《半导体技术》2006年第1期40-43,共4页张伟 王玉东 熊小义 许军 单一林 李希有 刘爱华 钱佩信 
国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA1Z1610)
通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声 
电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析被引量：7
《核技术》2005年第3期213-216,共4页黄文韬 王吉林 刘志农 陈长春 陈培毅 钱佩信 孟祥提 
国家自然科学基金(10075029;69836020);国家"863"高技术研究发展计划项目(2002AA3Z1230) 资助
研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在...
关键词：电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性 
提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术———应变Si技术被引量：1
《微纳电子技术》2005年第1期13-18,共6页陈长春 余本海 刘江峰 刘志弘 钱佩信 
详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变 Si器件应用中存在的问题并对应变 Si技术的市场应用前景作了简单的介绍。
关键词：SIGE 应变硅 CMOS器件 
用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1666-1671,共6页黄文韬 陈长春 李希有 沈冠豪 张伟 刘志弘 陈培毅 钱佩信 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA3 Z12 3 0 )~~
利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显...
关键词：UHV/CVD 硅外延 杂质分布 SIGE HBT 
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