两种自主开发的图形外延SiGe工艺  

Two Kinds of Patterned SiGe Epitaxial Growth Technologies

作　　者：徐阳[1] 王飞[1] 许军[1] 刘志弘[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期389-391,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.

关 键 词：图形外延 SIGE 超高真空化学气相淀积 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]