用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料  

Fabrication of Strained Silicon Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Process

作　　者：王敬[1] 梁仁荣[1] 徐阳[1] 刘志弘[1] 许军[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期179-182,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60476017)

摘　　要：利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.

关 键 词：应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积 

分 类 号：TN304.1[电子电信—物理电子学]