刘爱华

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：SIGE低噪声SIGE_HBT微波HBT更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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一种低噪声SiGe微波单片放大电路被引量：1
《微电子学》2006年第5期588-590,共3页鲁亚诗 张伟 李高庆 刘道广 李希有 鲁勇 刘爱华 张翔 
介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率...
关键词：SIGE HBT达林顿结构 微波单片集成电路 硅化物 
SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响
《微电子学》2006年第5期601-603,共3页王玉东 徐阳 张伟 李希有 刘爱华 
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 ...
关键词：SIGE HBT 欧拉电压 硼外扩散 
TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2
《半导体技术》2006年第1期40-43,共4页张伟 王玉东 熊小义 许军 单一林 李希有 刘爱华 钱佩信 
国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA1Z1610)
通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声 
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