鲁亚诗

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：低噪声SIGE放大电路硅化物微波单片集成电路更多>>
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一种低噪声SiGe微波单片放大电路被引量：1
《微电子学》2006年第5期588-590,共3页鲁亚诗 张伟 李高庆 刘道广 李希有 鲁勇 刘爱华 张翔 
介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率...
关键词：SIGE HBT达林顿结构 微波单片集成电路 硅化物 
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