一种低噪声SiGe微波单片放大电路  

A Low Noise Darlington SiGe Microwave Monolithic Integrated Circuit

作　　者：鲁亚诗[1] 张伟[1] 李高庆[1] 刘道广[2] 李希有[1] 鲁勇[1] 刘爱华[1] 张翔[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子研究所,北京100084 [2]模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2006年第5期588-590,共3页Microelectronics

摘　　要：介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0。A low noise microwave monolithic integrated circuit （MMIC）using Darlington configuration SiGe hetero-junction bipolar transistors （HBT＇s）is presented. The circuit consists of two SiGe HBTs and four resistors. It is fabricated in a quasi-self-aligned process, with a non-selectively grown epitaxial SiGe base. The cutoff frequency of HBTs is 10.9 GHz and 9. 2 GHz, respectively. The MMIC is measured to have a noise figure of 1.59 dB, a power gain of 14. 3 dB, and an input arid output VSWR of 1.6 and 2.0 at 1 GHz.

关 键 词：SIGE HBT达林顿结构 微波单片集成电路 硅化物 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]