熊小义

作品数：6被引量：8H指数：2
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：SIGE_HBTHBTSIGE微波DOUBLE更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《微纳电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究
《微电子学》2006年第1期33-35,共3页李翊 张伟 许军 陈长春 单一林 熊小义 李希有 刘志弘 钱佩信 
国家高技术发展研究(863)计划资助项目(2002AA1Z1610)
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（S...
关键词：Ti基硅化物 SIGE HBT RTA 温度特性 
TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2
《半导体技术》2006年第1期40-43,共4页张伟 王玉东 熊小义 许军 单一林 李希有 刘爱华 钱佩信 
国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA1Z1610)
通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声 
A 30 Finger Microwave Power SiGe HBT with 23V BV_(CBO) and f_T 7GHz被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1238-1242,共5页熊小义 张伟 许军 刘志宏 陈长春 黄文韬 李希有 钟涛 钱佩信 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z1610)~~
With modified necessary steps for SiGe implementation,multi-finger power SiGe H BT devices are fabricated in a CMOS process line with 125mm wafer.The devices s how quite high BV CBO 23V.The current gain is very sta...
关键词：SiGe HBT f  T POWER 
一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法被引量：2
《半导体技术》2003年第11期26-28,共3页刘志农 熊小义 付玉霞 张伟 陈培毅 钱佩信 
在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度...
关键词：EFL 线性拟合 RIE工艺刻蚀 四探针 外延层厚度 掺杂浓度 测量 SiGe-HBT加工工艺 双极性晶体管 
SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
《微纳电子技术》2003年第10期15-16,41,共3页熊小义 刘志农 张伟 付玉霞 黄文韬 刘志弘 陈长春 窦维治 钱佩信 
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。
关键词：SIGE HBT 制造工艺 湿法腐蚀 异质结双极晶体管 超高真空低压化学汽相淀积 硅锗 
Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave P ower SiGe HBT被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第9期897-902,共6页刘志农 熊小义 黄文韬 李高庆 张伟 许军 刘志弘 林惠旺 许平 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~
A new 125mm UHV/CVD SiGe/Si epitaxy equipment SGE500 capable of commercialization is constructed and device-level SiGe HBT material is grown.A polysilicon emitter (PolyE) double mesa microwave power SiGe HBT showing e...
关键词：SIGE HBT microwave power amplifer 
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