郭福隆

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发文主题：离子注入UHV/CVD超高真空化学气相沉积更多>>
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离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期140-143,共4页许向东 郭福隆 周卫 刘志弘 张兆健 李希有 张伟 钱佩信 
通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达...
关键词：弛豫SiGe UHV/CVD 离子注入 
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