云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- UHV/CVD

UHV/CVD: 作品数：29被引量：60H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：钱佩信余金中叶志镇陈培毅黄靖云更多>>; 相关机构：清华大学中国科学院浙江大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《深圳信息职业技术学院学报》《Journal of Rare Earths》《微电子学》《Science China Materials》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部“985工程”更多>>

Mn-doped SiGe thin films grown by UHV/CVD with room-temperature ferromagnetism and high hole mobility被引量：2: 《Science China Materials》2022年第10期2826-2832,共7页Limeng Shen Xi Zhang Jiaqi Wang Jianyuan Wang Cheng Li Gang Xiang; supported by the National Key Research and Development Program of China(2017YFB0405702);the National Natural Science Foundation of China(52172272)。; In this work,silicon-germanium(SiGe)thin films are epitaxially grown on Ge substrates by ultra-high vacuum chemical vapor deposition and then doped with Mn element by ion-implantation and subsequent rapid thermal anne...; 关键词：diluted magnetic semiconductor Mn-doped SiGe FERROMAGNETISM hole mobility UHV/CVD

硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4: 《物理学报》2012年第7期495-499,共5页陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003,60837001);中央高校基本业务费(批准号:2010121056)资助的课题~~; 利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X...; 关键词：Ge 外延生长 UHV/CVD 光致发光谱

UHV/CVD生长SiGe/Si材料分析及应用研究被引量：2: 《深圳信息职业技术学院学报》2011年第3期29-32,共4页周志文叶剑锋; 深圳信息职业技术学院科研基金资助(YB201003); 以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV/CVD系统在Si(100)衬底上生长了Si1-xGex合金和Si1-xGex/Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金...; 关键词：SIGE合金 SiGe/Si多量子阱外延生长 UHV/CVD

Growth of SiGe by D-UHV/CVD at Low Temperature: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1889-1892,共4页曾玉刚韩根全余金中; 国家自然科学基金(批准号:60336010);国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036605)资助项目~~; The temperature is a key factor for the quality of the SiGe alloy grown by D-UHV/CVD. In conventional conditions,the lowest temperature for SiGe growth is about 550℃. Generally, the pressure of the growth chamber is ...; 关键词：SIGE D-UHV/CVD low-temperature deposition DCXRD

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期315-318,共4页周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明; 国家自然科学基金(批准号:60676027;50672079;60336010);福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);教育部回国留学人员启动基金资助项目~~; 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结...; 关键词：锗硅异质外延弛豫缓冲层锗

Si基Ge量子点光电探测器的研究被引量：5: 《半导体光电》2006年第4期379-382,共4页魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅; 国家自然科学基金重点基金项目(69836020);教育部985项目(JZ2001010); 采用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K)PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上,流...; 关键词：UHV/CVD 量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度

UHV/CVD生长本征硅外延层的研究: 《微电子学》2006年第2期132-135,共4页岳磊陈长春许军刘志弘钱佩信; 在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延...; 关键词：超高真空化学气相淀积锗硅器件异质结双极型晶体管本征硅外延

500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文): 《功能材料与器件学报》2006年第1期5-9,共5页赵雷左玉华李传波成步文罗丽萍余金中王启明; NationalScienceFoundationofChina(No.60336010,No.90401001)and973Programs(No.TG2000036603); 利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显...; 关键词：UHV/CVD 拉曼测量光荧光 Si0.5Ge0.5

离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期140-143,共4页许向东郭福隆周卫刘志弘张兆健李希有张伟钱佩信; 通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达...; 关键词：弛豫SiGe UHV/CVD 离子注入

H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第1期78-81,共4页赵星叶志镇吴贵斌刘国军赵炳辉唐九耀; 国家科学技术部攀登计划;浙江省科技计划资助项目(批准号:981101040;991110535)~~; 利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4...; 关键词：选择性外延生长 UHV/CVD SI1-XGEX

UHV/CVD