陈城钊

作品数：25被引量：54H指数：4
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供职机构：韩山师范学院物理与电子工程系更多>>
发文主题：多晶硅薄膜晶化率RF-PECVD锗RAMAN谱更多>>
发文领域：理学电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《韩山师范学院学报》《光电子．激光》《材料研究与应用》《功能材料》更多>>
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射频功率对微晶硅薄膜微结构和光电性能的影响被引量：1
《真空》2012年第4期83-86,共4页陈城钊 林璇英 
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208);韩山师范学院青年科研基金(批准号:0503)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电性能进行分析。研究表明:随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和...
关键词：微晶硅薄膜 射频功率 拉曼光谱 暗电导率 
基于SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光增强的研究
《韩山师范学院学报》2012年第3期29-33,共5页陈城钊 
基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计.采用超高真空化学气相沉积系统,在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge/SiGe多量子阱材料.室温下样品的光致发光谱表明SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光起有效的强度增强作用,...
关键词：散射矩阵法 SOI 锗 光致发光谱 
Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究被引量：1
《光电子．激光》2012年第5期922-927,共6页陈城钊 陈阳华 黄诗浩 李成 赖虹凯 陈松岩 
国家重大科学研究计划(2012CB933503);国家自然科学基金(61036003;61176092);中央高校基本业务费(2010121056)资助项目
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃...
关键词：能带工程理论 Ge/SiGe 量子阱 室温荧光(PL)光谱 
硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4
《物理学报》2012年第7期495-499,共5页陈城钊 郑元宇 黄诗浩 李成 赖虹凯 陈松岩 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003,60837001);中央高校基本业务费(批准号:2010121056)资助的课题~~
利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X...
关键词：Ge 外延生长 UHV/CVD 光致发光谱 
拉曼光谱和红外光谱分析沉积气压对微晶硅薄膜微结构的影响
《光谱实验室》2012年第2期1188-1191,共4页陈城钊 
韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503)
采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD),在玻璃和硅衬底上以230—310Pa之间的沉积气压生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱和红外光谱分析样品的微结构。结果发现样品的微结构强烈依赖于沉积气压,并且存在着最佳沉积气压250...
关键词：微晶硅薄膜 沉积气压 拉曼光谱 傅里叶变换红外透射谱 
N型掺杂应变Ge发光性质被引量：3
《物理学报》2012年第3期356-363,共8页黄诗浩 李成 陈城钊 郑元宇 赖虹凯 陈松岩 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003,60837001);中央高校基础业务费项目(批准号:2010121056);信息功能材料国家重点实验室开放课题资助的课题~~
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐...
关键词：应变 N型掺杂Ge 量子效率 光增益 
红外光谱法研究射频功率对微晶硅薄膜微结构的影响
《光谱实验室》2012年第1期537-540,共4页陈城钊 
韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在硅衬底上以不同的射频功率生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜,利用傅里叶变换红外透射光谱技术对薄膜进行测试。通过对红外透射光谱的高斯拟合分析,结果表明薄膜中的氢含量和硅氢键合模式跟...
关键词：微晶硅薄膜 射频功率 傅里叶变换红外透射谱 
《电磁学》课程学习网站的设计与实现
《现代计算机（中旬刊）》2011年第12期75-77,共3页陈城钊 
广东省高校现代教育技术"151工程"项目(No.GDC174)
对《电磁学》课程学习网站的内容、结构和功能进行分析和设计。利用Dreamweaver MX作为开发工具,Access 2007作为后台数据库,采用ASP来实现动态数据库的交换及网页的生成,构建一个内容充实、界面友好、维护方便的学习网站。
关键词：电磁学 学习网站 ASP 数据库 
Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展
《半导体光电》2011年第3期304-308,共5页黄诗浩 李成 陈城钊 郑元宇 赖虹凯 陈松岩 
国家"973"计划项目(2007CB613404);国家自然科学基金资助项目(561036003;60837001)
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料...
关键词：Si基外延Ge 应变 掺杂 光致发光 电致发光 
纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：9
《物理学报》2009年第4期2565-2571,共7页陈城钊 邱胜桦 刘翠青 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208);韩山师范学院青年科研基金(批准号:0503)资助的课题~~
采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜.傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量...
关键词：氢化纳米晶硅薄膜 红外透射谱 氢含量 硅氢键合模式 
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