离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe  

Thin Highly-Relaxed SiGe Induced by Ion Implantion into the Epitaxial Substrates

作　　者：许向东[1] 郭福隆[1] 周卫[1] 刘志弘[1] 张兆健[1] 李希有[1] 张伟[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期140-143,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.

关 键 词：弛豫SiGe UHV/CVD 离子注入 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]