UHV/CVD生长本征硅外延层的研究  

A Study on Intrinsic Silicon Epitaxy by UHV/CVD

作　　者：岳磊[1] 陈长春[1] 许军[1] 刘志弘[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《微电子学》2006年第2期132-135,共4页Microelectronics

摘　　要：在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好。The thickness of collector is one of the factors that limit cut-off frequency in microwave bipolar transistors. APCVD is not applicable for thin epitaxial layer with abrupt concentration profile. In this paper, intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type （As doped） substrate by UHV/CVD, which were then characterized using SPR, AFM and DCXRD methods. SiGe HBT＇s based on the epitaxlal layer exhibit excellent breakdown characteristics.

关 键 词：超高真空化学气相淀积 锗硅器件 异质结双极型晶体管 本征硅外延 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]