张永

作品数：3被引量：8H指数：2
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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
发文主题：SIGE_HBT锗硅合金SIGE衬底硅锗更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金福建省科技重点项目教育部留学回国人员科研启动基金福建省重点科技计划项目更多>>
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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2008年第4期479-482,共4页张永 李成 赖虹凯 陈松岩 康俊勇 成步文 王启明 
福建省青年科技人才创新基金(2004J021);国家自然科学基金(60676027;50672079);福建省科技重点项目(2006H0036)
制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0...
关键词：锗硅合金 异质结双极型晶体管 锗组分 直流特性 
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：4
《Journal of Semiconductors》2008年第2期315-318,共4页周志文 蔡志猛 张永 蔡坤煌 周笔 林桂江 汪建元 李成 赖虹凯 陈松岩 余金中 王启明 
国家自然科学基金(批准号:60676027;50672079;60336010);福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);教育部回国留学人员启动基金资助项目~~
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结...
关键词：锗硅异质外延 弛豫缓冲层 锗 
干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第12期1937-1940,共4页蔡坤煌 张永 李成 赖虹凯 陈松岩 
国家自然科学基金(批准号:60676027;50672079;60336010);福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);教育部回国留学人员启动基金资助项目~~
SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同...
关键词：氧化 锗硅弛豫缓冲层 位错 
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