锗硅合金

作品数：40被引量：36H指数：3
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核电池及其应用概述被引量：3
《电源技术》2013年第5期727-728,共2页刘春娜 
核电池，又叫同位素电池，也被叫做“放射性同位素温差发电器”，最初也叫原子电池。它是将原子核放射能直接转变为电能的装置，是由一些性能优异的半导体材料，如碲化铋、碲化铅、锗硅合金和硒族化合物等，把许多材料串联起来组成。再...
关键词：核电池 放射性同位素 温差发电器 半导体材料 应用 性能优异 锗硅合金 原子核 
Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2008年第4期479-482,共4页张永 李成 赖虹凯 陈松岩 康俊勇 成步文 王启明 
福建省青年科技人才创新基金(2004J021);国家自然科学基金(60676027;50672079);福建省科技重点项目(2006H0036)
制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0...
关键词：锗硅合金 异质结双极型晶体管 锗组分 直流特性 
应变SiGe层中本征载流子浓度的计算被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第4期449-451,467,共4页赵传阵 唐吉玉 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 
采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子...
关键词：锗硅合金 应变 有效态密度 本征载流子浓度 掺杂浓度 
信息产业 打造新的经济增长极
《河北画报》2007年第7期25-25,共1页
近年来,张家口把发展无污染、附加值高的信息产业作为新的经济增长极,建设了涿鹿、怀来、宣化、高新区等信息产业园区,扶持北大青鸟、涿鹿中源单晶硅、宣化电气、保胜能源等企业上规模。
关键词：信息产业 经济增长 中源 北大青鸟 怀来 保胜 电子信息 涿鹿 锗硅合金 光电转换器 
基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT(英文)被引量：1
《功能材料与器件学报》2006年第6期541-545,共5页杨维明 史辰 谢万波 吴楠 陈建新 
National Natural Science Foundation (No.60476034)
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典...
关键词：锗硅合金 异质结晶体管 高阻衬底 
张家口兴建国内最大锗硅合金单晶晶片基地
《半导体信息》2006年第1期2-3,共2页章从福 
关键词：锗硅合金 示范工程项目 半导体材料 产业集群优势 一期工程 技术优势 销售收入 国内市场份额 重点工程 人力资源 
可靠性工程与环境工程
《电子科技文摘》2005年第7期6-8,共3页
本会议录收集了会上发表的121篇论文。内容涉及高 K 电介质.BEOL 电解质,晶体管,静电放电,化合物半导体,MEMS,封装工艺,存储器,失效分析,锗硅合金,90nm CMOS 工艺,硅片反应离子刻蚀检测小尺寸氧沉积。ESD 保护电路 I/O 信号锁定现象,铜...
关键词：闪速存储器 可靠性工程 电介质击穿 会议录 失效分析 锗硅合金 反应离子刻蚀 倒装芯片 化合物半导体 封装工艺 
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析被引量：5
《微电子学》2005年第1期1-4,共4页杨维明 陈建新 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;...
关键词：锗硅合金 异质结双极晶体管 电路模型 模拟 
UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象被引量：2
《材料科学与工程学报》2004年第2期161-163,共3页吴贵斌 崔继锋 黄靖云 叶志镇 
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的...
关键词：超高真空化学气相沉积法 锗硅合金 偏析现象 二次离子质谱仪 X射线光电子谱 
Si_xGe_(1-x)合金——新型太阳能电池用材料
《河北工业大学成人教育学院学报》2000年第4期42-43,63,共3页张颖怀 
本文介绍一种新型太阳能电池用材料 Six Ge1- x合金。通过对三个特征峰进行分析 ,得出不同组分 Six Ge1- x合金对应不同特征峰 ,其特性在 Six Ge1- x之间变化的结论。有研究表明 ,用 Six Ge1- x合金制作太阳能电池 ,如能恰当选取 x值 ,...
关键词：锗硅合金 太阳能电池 电池材料 单晶硅 
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