云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 异质结晶体管

异质结晶体管: 作品数：59被引量：74H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃马晓华王冲陈建新郑雪峰更多>>; 相关机构：西安电子科技大学北京工业大学中国科学院微电子研究所清华大学更多>>; 相关期刊：《高技术通讯》《中国集成电路》《光谱实验室》《西安电子科技大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市教委资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>

基于零维碳量子点/二维MoS2混合维异质结晶体管的视觉失忆脉冲光电治疗模拟被引量：1: 《Science China Materials》2023年第12期4814-4824,共11页谢叮咚李幼真何军蒋杰; supported by Hunan Science Fund for Distinguished Young Scholars(2023JJ10069);the National Natural Science Foundation of China(52172169).; 失忆症是一种临床常见的疾病,表现为近期记忆的丧失以及获得新记忆能力的全面受损,它严重影响了人类的正常生活.目前,虽然草药干预、蛋白质合成抑制和激素替代可以预防或逆转失忆行为,但这些疗法都相对昂贵且效率低下.本文利用一种先进...; 关键词：pulsatile photoelectric therapy neuromorphic device reconfigurable memorizing and forgetting visual memory consolidation AMNESIA

锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应: 《电子元件与材料》2021年第2期124-130,共7页杨桂霞庞元龙王晓东徐家云蒋洞微; 国家NASF基金(U1630141);国家自然科学基金(11605169)。; 锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10^(-1) Gy·s^(-1)和1.50×10^(-2) Gy...; 关键词：分子束外延 1/f噪声总剂量效应低剂量率损伤增强效应异质结双极晶体管

5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器被引量：10: 《电子元件与材料》2020年第3期59-64,70,共7页堵沈琪陈亮李丹钱峰杨磊; 针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述...; 关键词：镓化合物异质结晶体管功率放大器自适应线性化偏置电路反馈电路射频功率检测电路

喷墨打印金属氧化物异质结晶体管被引量：1: 《发光学报》2019年第4期497-503,共7页杨文宇张国成崔宇陈惠鹏; 国家重点研发计划(2016YFB0401103);福建省自然科学基金(2016J01749)资助项目~~; 通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4...; 关键词：金属氧化物半导体喷墨打印异质结二维电子气

L波段5W InGaP/GaAsHBT功率放大器: 《电子制作》2018年第7期14-16,56,共4页游恒果蔡道民; InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器。在...; 关键词：功率放大器异质结晶体管片外匹配线性附件效率

极端低温下SiGe HBT器件研究进展被引量：8: 《微电子学》2017年第5期695-700,共6页黄云波李博杨玲韩郑生罗家俊; 国家自然科学基金资助项目(61404161); 系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现象。在电路级,分析了基于SiGe HBT的运算放大器、低噪声放大器...; 关键词：极端低温锗硅异质结晶体管能带工程

一种对负载不敏感的高功率平衡功率放大器被引量：3: 《电子科技大学学报》2016年第3期321-326,共6页章国豪郑耀华李思臻林俊明陈思弟; 广东省领军人才专项资助(400130002);国家自然科学基金(61404032); 针对卫星通信终端，采用功率合成架构设计了一个高输出功率的平衡功率放大器。功率合成架构通过在两路放大器的输出匹配网络中引入土45。的相移，可使该平衡功率放大器具有对负载失配容忍度更高和对负载变化不敏感等特性。该平衡功率放...; 关键词：高功率磷化铟镓/砷化镓异质结晶体管功率放大器功率合成卫星通信

SiGe HBT的线性度研究（英文）: 《固体电子学研究与进展》2015年第2期139-144,共6页张贵恒张为付军王玉东; 应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,S...; 关键词：锗化硅异质结晶体管负载牵引系统线性度非线性因素

基于2μ mGaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计: 《高技术通讯》2012年第10期1064-1069,共6页张瑛王志功徐建; 国家自然科学基金（61106021）,江苏省高校自然科学研究项目（11KJB510019）,中国博士后基金（20090461049,20090461048）,江苏省博士后资助计划（0901022C）和科技部中小企业技术创新基金（11C26213211234）资助项目.; 为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带...; 关键词：分布式放大器人工传输线异质结晶体管超宽带(UWB) 砷化镓(GaAs)

SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究被引量：1: 《半导体技术》2011年第9期689-692,共4页贾素梅杨瑞霞刘英坤邓建国辛启明; 邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4); 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,...; 关键词：SIGE/SI 异质结晶体管台面结构干法刻蚀自中止腐蚀腐蚀条件

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