基于2μ mGaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计  

Design of a L-type distributed amplifier based on 2-μm GaAs HBT process

作　　者：张瑛[1,2] 王志功[1] 徐建[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210046 [2]南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210046

出　　处：《高技术通讯》2012年第10期1064-1069,共6页Chinese High Technology Letters

基　　金：国家自然科学基金（61106021）,江苏省高校自然科学研究项目（11KJB510019）,中国博士后基金（20090461049,20090461048）,江苏省博士后资助计划（0901022C）和科技部中小企业技术创新基金（11C26213211234）资助项目.

摘　　要：为满足电子系统对放大器的带宽性能要求，基于2μm砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一种新的分布式放大器。设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构，有效提升了放大器的频率性能。测试结果显示，该放大器的3dB带宽达到14GHz，在1．2GHz～10．5GHz频率范围内增益为6．6dB，带内增益平坦度为±0．5dB，输入回波损耗小于-14dB，输出回波损耗小于-8．8dB，表现出了高增益和大带宽的特性。distributed amplifier for advanced electronic systems was designed based on the 2-1μm GaAs Hetero- junction Bipolar Transistor （HBT） process. The input capacitance coupling technology and an L type transmission line structure were applied to the design to increase the frequency performance of the amplifier. The measurement results showed that the amplifier provided a 3dB bandwidth as high as 14GHz. The amplifier gave a 6.6dB gain from 1.2GHz to 10.5GHz with an excellent gain flatness of ±0.5dBo The input return loss was lower than - 14dB while the output return loss was lower than - 8.8dB, exhibiting the high gain, great bandwidth characteristics.

关 键 词：分布式放大器 人工传输线 异质结晶体管 超宽带(UWB) 砷化镓(GaAs) 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]