辛启明

作品数：2被引量：9H指数：1
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发文主题：HBTFETBICMOSSIGE技术SIGE更多>>
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SiGe异质结晶体管技术的发展被引量：8
《半导体技术》2011年第9期672-676,729,共6页辛启明 刘英坤 贾素梅 
以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术...
关键词：SIGE技术 SiGe外延 SIGE HBT SIGE BICMOS SIGE FET 
SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究被引量：1
《半导体技术》2011年第9期689-692,共4页贾素梅 杨瑞霞 刘英坤 邓建国 辛启明 
邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,...
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 台面结构 干法刻蚀 自中止腐蚀 腐蚀条件 
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