L波段5W InGaP/GaAsHBT功率放大器  

作　　者：游恒果 蔡道民[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《电子制作》2018年第7期14-16,56,共4页Practical Electronics

摘　　要：InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器。在VCC=5 V,ICC=300 mA下,频率1 59-1 62 GHz范围内,小信号增益大于39dB,输出功率大于38 dBm,附加效率大于55%,1d B压缩功率大于37dBm,1 dB压缩功率下的效率大于50%;采用PI/4QPSK调制信号,频率间隔21 6kHz和滤波器滚降系数0.35,在调制输出功率为36dBm下,其EVM指标小于5%,第一临道抑制比小于-27dBc。该放大器可应用于通信等领域。

关 键 词：功率放大器 异质结晶体管 片外匹配 线性 附件效率 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]