可靠性工程与环境工程  

出　　处：《电子科技文摘》2005年第7期6-8,共3页Sci.& Tech.Abstract

摘　　要：本会议录收集了会上发表的121篇论文。内容涉及高 K 电介质.BEOL 电解质,晶体管,静电放电,化合物半导体,MEMS,封装工艺,存储器,失效分析,锗硅合金,90nm CMOS 工艺,硅片反应离子刻蚀检测小尺寸氧沉积。ESD 保护电路 I/O 信号锁定现象,铜金属化中时间相关电介质击穿物理模型,倒装芯片 UBM可靠性。GaAs FET 失效机制,闪速存储器可擦写机理。

关 键 词：闪速存储器 可靠性工程 电介质击穿 会议录 失效分析 锗硅合金 反应离子刻蚀 倒装芯片 化合物半导体 封装工艺 

分 类 号：TN0[电子电信—物理电子学]