吴楠

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：SIGE_HBT衬底车辆管理HBTSI/SIGE更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理交通运输工程更多>>
发文期刊：《北京工业大学学报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
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掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善
《北京工业大学学报》2007年第10期1048-1051,共4页陈建新 吴楠 史辰 杨维明 
国家自然科学基金(60476034)
为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础...
关键词：掩埋金属 自对准 结面积利用率 金属-半导体接触 
基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT(英文)被引量：1
《功能材料与器件学报》2006年第6期541-545,共5页杨维明 史辰 谢万波 吴楠 陈建新 
National Natural Science Foundation (No.60476034)
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典...
关键词：锗硅合金 异质结晶体管 高阻衬底 
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