云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 赵传阵

赵传阵: 作品数：6被引量：8H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：南京大学更多>>; 发文主题：X硅锗合金应变SIGAN流体动力学更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《低温物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金江苏省创新学者攀登项目国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：4: 《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助; 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...; 关键词：GAN 氢化物气相外延流体动力学

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x层中少子常温和低温行为: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期8-11,共4页赵传阵唐吉玉肖海霞文于华吴靓臻孔蕴婷; 采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而减少,其减少的速度越来越慢...; 关键词：硅锗合金少数载流子浓度低温特性掺杂浓度

应变SiGe层中本征载流子浓度的计算被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2007年第4期449-451,467,共4页赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷; 采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子...; 关键词：锗硅合金应变有效态密度本征载流子浓度掺杂浓度

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制: 《Journal of Semiconductors》2007年第6期873-877,共5页赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷; 采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变...; 关键词：硅锗合金内建电场三角形Ge分布矩形三角形Ge分布高斯分布

应变Si_(1-x)Ge_x层中p型杂质电离常温和低温特性: 《低温物理学报》2007年第1期57-60,共4页赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷; 本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge...; 关键词：硅锗合金少数载流子低温特性掺杂浓度

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