氢化物气相外延

作品数：60被引量：69H指数：4
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相关机构：中国科学院南京大学山东大学东莞市中镓半导体科技有限公司更多>>
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4英寸高质量GaN单晶衬底制备
《人工晶体学报》2025年第4期717-720,共4页齐占国 王守志 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 
国家自然科学基金重点项目(62434010,52472010)。
本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自...
关键词：GaN单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工 
高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究
《人工晶体学报》2025年第1期11-16,共6页许万里 甘云海 李悦文 李彬 郑有炓 张荣 修向前 
国家重点研发计划(2022YFB3605201,2022YFB3605204)。
氢化物气相外延(HVPE)是制备GaN单晶衬底的关键技术,由于生长速率较高,如何控制大尺寸GaN高速率高均匀性生长对于获得高质量GaN衬底具有重要意义。本文针对自主设计研制的6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用HVPE设备,通过数值模拟和实际生...
关键词：氮化镓 氢化物气相外延 晶体生长 数值模拟 厚度不均匀性 
GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展
《无机材料学报》2023年第3期243-255,共13页齐占国 刘磊 王守志 王国栋 俞娇仙 王忠新 段秀兰 徐现刚 张雷 
国家自然科学基金(51872164,52202265)。
相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一...
关键词：氮化镓 氢化物气相外延 掺杂 晶体生长 综述 
基于蓝宝石衬底生长GaN的立式HVPE控制系统设计被引量：1
《微纳电子技术》2022年第5期458-464,共7页余平 孙文旭 修向前 马思乐 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)。
为了实现氢化物气相外延(HVPE)技术在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓(GaN)过程的全自动控制,进一步提高系统的精确性和稳定性,设计了一种新型HVPE控制系统。该控制系统选用可编程逻辑控制器(PLC)为控制器,采用组态王开发系统监控软件。利...
关键词：蓝宝石衬底 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) 模糊控制 系统仿真 系统测试 
Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
《半导体技术》2022年第4期266-273,共8页张嵩 程文涛 王健 程红娟 闫礼 孙科伟 董增印 
重点实验室基金一般项目(61428080107)。
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物 Ga_(x)In_(1-x)P 氢化物气相外延(HVPE) 外延层 太阳电池 
温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理被引量：1
《发光学报》2021年第11期1739-1747,共9页牛慧丹 孔苏苏 杨少延 刘祥林 魏鸿源 姚威振 李辉杰 陈庆庆 汪连山 王占国 
国家重点研发计划(2017YFB0404201);国家自然科学基金(61774147,61874108)资助项目。
氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度...
关键词：超宽禁带半导体材料 氮化铝 氢化物气相外延 生长温度 表面形貌 
一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长被引量：2
《真空》2021年第2期1-5,共5页李成明 苏宁 李琳 姚威振 杨少延 
国家自然科学基金项目(Nos.61774147);国家重点研发计划(No.2017YFB0404201);广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号)。
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔...
关键词：氢化物气相外延 反应腔体 氮化镓 数值模拟 喷管 
双反应源气体HVPE生长α-Ga_(2)O_(3)的仿真优化研究被引量：2
《半导体光电》2021年第2期252-258,共7页刘庆东 陈琳 陶志阔 修向前 
国家自然科学基金项目(61574079);南京邮电大学校级科研基金项目(NY217108)。
使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga_(2)O_(3)材料的温度和反应源气流进行了优化。区别于传统的在反应腔内HCl或Cl_(2)携带Ga源的结构,使用了外置Ga源的方法,可以较准确地调整GaCl/GaCl^(3)的组分占比、摩尔分数和浓...
关键词：α-Ga_(2)O_(3) 氢化物气相外延 数值模拟 Gaussian软件 活化能 外置Ga源 生长温度 组分占比 
宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究
《人工晶体学报》2021年第3期416-420,共5页陈王义博 徐俞 曹冰 徐科 
国家自然科学基金重点项目(61734008);国家重点研发计划(2017YFB0404100)。
GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术。在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO_(2),并用光刻的方法将其制...
关键词：自支撑GaN 侧向外延 氢化物气相外延 宽周期掩膜法 半导体 
NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
《半导体技术》2021年第2期152-157,共6页潘大力 杨瑞霞 张嵩 董增印 
国家自然科学基金资助项目(61774054)。
氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,...
关键词：GAN 氢化物气相外延(HVPE) Ⅴ/Ⅲ比 NH3流量 形态变化模型 
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