修向前

作品数：90被引量：180H指数：6
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：氢化物气相外延GAN氮化镓蓝宝石衬底更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《中国照明电器》《激光与红外》《陶瓷学报》《光谱学与光谱分析》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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激光切片,将成为未来8英寸碳化硅切割的主流技术——访南京大学修向前教授
《中国粉体工业》2025年第1期59-60,共2页无 修向前 
2024年12月24日,由中国粉体网主办的“2024半导体行业用金刚石材料技术大会”在河南郑州滨河假日酒店隆重召开。会议期间,我们邀请到多位业内专家学者做客“对话”栏目,就金刚石材料在半导体行业中的应用进展以及技术现状进行了访谈交...
关键词：半导体行业 南京大学 假日酒店 河南郑州 业内专家学者 主流技术 碳化硅 技术现状 
高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究
《人工晶体学报》2025年第1期11-16,共6页许万里 甘云海 李悦文 李彬 郑有炓 张荣 修向前 
国家重点研发计划(2022YFB3605201,2022YFB3605204)。
氢化物气相外延(HVPE)是制备GaN单晶衬底的关键技术,由于生长速率较高,如何控制大尺寸GaN高速率高均匀性生长对于获得高质量GaN衬底具有重要意义。本文针对自主设计研制的6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用HVPE设备,通过数值模拟和实际生...
关键词：氮化镓 氢化物气相外延 晶体生长 数值模拟 厚度不均匀性 
基于蓝宝石衬底生长GaN的立式HVPE控制系统设计被引量：1
《微纳电子技术》2022年第5期458-464,共7页余平 孙文旭 修向前 马思乐 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)。
为了实现氢化物气相外延(HVPE)技术在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓(GaN)过程的全自动控制,进一步提高系统的精确性和稳定性,设计了一种新型HVPE控制系统。该控制系统选用可编程逻辑控制器(PLC)为控制器,采用组态王开发系统监控软件。利...
关键词：蓝宝石衬底 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) 模糊控制 系统仿真 系统测试 
双反应源气体HVPE生长α-Ga_(2)O_(3)的仿真优化研究被引量：2
《半导体光电》2021年第2期252-258,共7页刘庆东 陈琳 陶志阔 修向前 
国家自然科学基金项目(61574079);南京邮电大学校级科研基金项目(NY217108)。
使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga_(2)O_(3)材料的温度和反应源气流进行了优化。区别于传统的在反应腔内HCl或Cl_(2)携带Ga源的结构,使用了外置Ga源的方法,可以较准确地调整GaCl/GaCl^(3)的组分占比、摩尔分数和浓...
关键词：α-Ga_(2)O_(3) 氢化物气相外延 数值模拟 Gaussian软件 活化能 外置Ga源 生长温度 组分占比 
氧化镓生长模拟中的流场与反应参数优化研究被引量：3
《半导体光电》2020年第4期527-530,547,共5页戴必胜 陈琳 陶志阔 修向前 
国家自然科学基金项目(61574079);南京邮电大学校级科研基金项目(NY217108)。
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型,对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。依次优化了GaCl进气速度、O2进气速度、喷口到衬底间的距离等关键参数,在较高生长速率下使衬底上的Ga2O...
关键词：GA2O3 氢化物气相外延 计算机仿真 流速 活化能 
AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究被引量：2
《陶瓷学报》2018年第6期690-695,共6页付润定 庄德津 修向前 谢自力 陈鹏 张荣 郑有炓 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201);固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏高校优势学科建设工程资助项目;国网山东电力公司技术开发基金
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的Al...
关键词：AlN单晶 化学机械抛光 ALGAN Stranski-Krastanow生长模式 应变梯度模型 
AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制被引量：1
《微纳电子技术》2018年第10期719-723,729,共6页高鹏 方华杰 蒋府龙 刘梦涵 徐儒 周婧 张熬 陈鹏 刘斌 修向前 谢自立 韩平 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2016YFB0400100,2016YFB0400602);国家自然科学基金资助项目(61674076,61422401,51461135002);江苏省自然科学基金资助项目(BY2013077,BK20141320,BE2015111);江苏省重点学科资助计划;江苏省六大人才高峰资助项目(XYDXX-081);集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金资助项目
使用时域有限差分法（FDTD）研究了AlGaN纳米柱的光学性质。通过仿真分析了铝组分的变化对纳米柱内外光场强度的影响。结果表明，在固定纳米柱尺寸条件下，纳米柱内部场强随铝组分显著变化，最大相差一倍，外部场强同样强烈依赖于铝组...
关键词：铝镓氮(AlGaN) 纳米柱 时域有限差分法(FDTD) 电场强度 光学模式 
GaN微盘模式分布与强度研究
《光电子技术》2018年第3期162-166,共5页方华杰 高鹏 蒋府龙 刘梦涵 徐儒 周婧 张熬 陈鹏 刘斌 修向前 谢自立 韩平 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点研发计划项目(2016YFB0400100;2016YFB0400602);国家自然科学基金(61674076;61422401;51461135002);江苏省自然科学基金(BY2013077;BK20141320;BE2015111);固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏省重点学科资助计划;江苏省六大人才高峰(XYDXX-081);集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);南京大学扬州光电研究院研发基金;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金
使用时域有限差分方法系统地研究了直径从2μm到50μm的GaN基微盘在蓝光波段的模式强度和分布。设计了一种可以比拟微盘内高密度激子分布的偶极子排布方式,使其能够激发盘内所有光学模式。研究了盘内最大激发强度和有效共振频率数量随...
关键词：回音壁模式 时域有限差分法 光学微腔 氮化镓 
大尺寸HVPE反应室生长GaN的数值模拟被引量：3
《半导体技术》2018年第8期616-621,共6页朱宇霞 陈琳 顾世浦 修向前 张荣 郑有炓 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201);固态照明与节能电子学协同创新中心资助项目;江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD);国网山东电力公司技术开发基金资助项目
利用有限元法对单片6英寸（1英寸=2.54 cm）Ga N衬底用氢化物气相外延（HVPE）生长系统的工艺参数进行了数值模拟和优化。通过建立反应室二维几何模型,依次改变HVPE系统中的Ga Cl,NH3和分隔气（N2）流速等主要参数进行数值模拟,研究分...
关键词：氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) 数值模拟 生长速率 相对均匀性 
石墨烯上生长GaN纳米线的研究
《半导体光电》2017年第6期813-817,共5页陈丁丁 陈琳 修向前 李悦文 付润定 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 张荣 郑有炓 
国家"973"计划项目(2016YFB0400100;2016YFB0400602);国家"863"计划项目(2015AA033305);国家自然科学基金项目(61274003;61400401;51461135002;61334009);江苏省自然科学基金项目(BY2013077;BK20141320;BE2015111);固态照明与节能电子学协会同创新中心项目;江苏高校优势学科建设工程资助项目;国网山东电力公司技术开发基金项目
在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和...
关键词：CVD GAN纳米线 石墨烯 催化剂 单晶 
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