GAN纳米线

作品数：61被引量：51H指数：3
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低成本高结晶GaN纳米线柔性薄膜制备及其场发射性能
《北京工业大学学报》2024年第9期1038-1048,共11页王如志 张京阳 杨孟骐 王佳兴 郑坤 
国家自然科学基金资助项目(11774017)。
旨在探究非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂在柔性碳膜上制备高结晶的GaN纳米线的可行性,并研究其场发射特性及机理。采用非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂,在柔性碳膜上制备了直径为20~100 nm、长度为3~15μm的高结晶的GaN纳米线,并...
关键词：氮化镓(GaN) 纳米线 场发射 柔性薄膜 CU催化剂 低成本制备 
三角形截面GaN纳米线中的Frohlich电子-声子相互作用哈密顿
《量子电子学报》2022年第4期632-643,共12页张立 王琦 
(2021年广州市基础与应用基础研究计划项目)。
基于介电连续模型,推导和分析了具有等边三角形截面的纤锌矿GaN纳米线结构中的极化光学声子模。研究发现该纳米线结构中存在的精确受限(EC)声子模频率为GaN材料自由z-方向上的纵光学声子特征频率ωz,L,由于受限情况不同,这明显不同于GaN...
关键词：光电子学 电-声子相互作用 极化光学声子 氮化镓纳米线 三角形截面 
Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能被引量：3
《物理学报》2020年第8期204-209,共6页梁琦 王如志 杨孟骐 王长昊 刘金伟 
国家自然科学基金(批准号:11774017)资助的课题.
采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显著调控GaN纳米线的形貌,当反应温度为950℃时,生长出的GaN微米...
关键词：GAN纳米线 等离子增强化学气相沉积 无催化剂 生长机理 
大连理工研制出新型GaN发表纳米线气体传感器
《传感器世界》2019年第6期30-31,共2页
Nano Letters近期发布了大连理工大学黄辉团队发明的无漏电流“纳米线桥接生长技术”,解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题,研制出高可靠性、低功耗及高灵敏度的GaN纳米线气体传感器,该传感器可推广至生物检测以及应...
关键词：GAN纳米线 大连理工大学 气体传感器 NANO 生长技术 定性问题 高可靠性 高灵敏度 
焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响被引量：1
《大连交通大学学报》2019年第3期92-96,共5页陈晓 王岩国 谷林 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51372027、11274365、51172193、51522212、51421002)
利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐...
关键词：GAN纳米线 I-V曲线 焦耳热效应 电击穿 压电效应 
新型无漏电纳米线桥接生长技术解决传感器材料稳定性问题被引量：1
《传感器世界》2019年第5期45-45,共1页
Nano Letters发表了大连理工大学黄辉教授团队的一项研究成果——无漏电流“纳米线桥接生长技术”。这项技术解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题,制备出高可靠性、低功耗及高灵敏度的GaN纳米线气体传感器,该传感器...
关键词：GAN纳米线 传感器材料 生长技术 定性问题 漏电流 桥接 大连理工大学 应变检测 
PVT生长GaN纳米线的光学性质研究
《电子世界》2019年第9期30-31,共2页李瑛 
GaN纳米材料以其特有的量子限制效应、库仑阻塞效应、以及高的比表面积和线内极好的单晶性能而日益受到重视。本文采用物理气相输运(PVT)法生长GaN纳米线,反应源采用金属Ga和NH3,具有设备简单、参数的可控性和重复性高,成本较低的优势...
关键词：GAN纳米线 生长结果 光学性质 PVT 扫描电子显微镜 量子限制效应 库仑阻塞效应 RAMAN 
焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线的影响
《大连交通大学学报》2019年第2期6-6,共1页陈晓 王岩国 谷林 张志华 
利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的Ⅰ-Ⅴ曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流...
关键词：纳米线 电击穿 GAN 
石墨烯上生长GaN纳米线的研究
《半导体光电》2017年第6期813-817,共5页陈丁丁 陈琳 修向前 李悦文 付润定 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 张荣 郑有炓 
国家"973"计划项目(2016YFB0400100;2016YFB0400602);国家"863"计划项目(2015AA033305);国家自然科学基金项目(61274003;61400401;51461135002;61334009);江苏省自然科学基金项目(BY2013077;BK20141320;BE2015111);固态照明与节能电子学协会同创新中心项目;江苏高校优势学科建设工程资助项目;国网山东电力公司技术开发基金项目
在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和...
关键词：CVD GAN纳米线 石墨烯 催化剂 单晶 
浅谈GaN纳米线热学性能的分子动力学模拟分析
《知识文库》2017年第19期172-172,共1页杨宇超 
一、GaN纳米线的研究背景科技日新月异的今天,半导体技术、纳米技术在电子技术中起到了越来越大的作用。GaN的研究起步于60年代末~70年代初,是由美国的H.P.Marvska及Pankove等人采用卤化物晶体生长法生长的。GaN属宽禁带半导体材料,它...
关键词：纳米线 不同直径 分子动力学模拟 GAN 热学性能 
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