PVT生长GaN纳米线的光学性质研究  

作　　者：李瑛 

机构地区：[1]南京邮电大学

出　　处：《电子世界》2019年第9期30-31,共2页Electronics World

摘　　要：GaN纳米材料以其特有的量子限制效应、库仑阻塞效应、以及高的比表面积和线内极好的单晶性能而日益受到重视。本文采用物理气相输运(PVT)法生长GaN纳米线,反应源采用金属Ga和NH3,具有设备简单、参数的可控性和重复性高,成本较低的优势。针对影响纳米线生长结果的主要因素:温度、衬底和催化剂作了系列研究,使用扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱和拉曼光谱(Raman)对样品进行分析表征。

关 键 词：GAN纳米线 生长结果 光学性质 PVT 扫描电子显微镜 量子限制效应 库仑阻塞效应 RAMAN 

分 类 号：O782[理学—晶体学]