新型无漏电纳米线桥接生长技术解决传感器材料稳定性问题  

出　　处：《传感器世界》2019年第5期45-45,共1页Sensor World

摘　　要：Nano Letters发表了大连理工大学黄辉教授团队的一项研究成果——无漏电流“纳米线桥接生长技术”。这项技术解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题,制备出高可靠性、低功耗及高灵敏度的GaN纳米线气体传感器,该传感器可推广至主物检测以及应力应变检测等。

关 键 词：GAN纳米线 传感器材料 生长技术 定性问题 漏电流 桥接 大连理工大学 应变检测 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]