云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张荣

张荣: 作品数：261被引量：465H指数：9; 导出分析报告; 供职机构：南京大学更多>>; 发文主题：GAN氮化镓蓝宝石MOCVD氢化物气相外延更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>

高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究: 《人工晶体学报》2025年第1期11-16,共6页许万里甘云海李悦文李彬郑有炓张荣修向前; 国家重点研发计划(2022YFB3605201,2022YFB3605204)。; 氢化物气相外延(HVPE)是制备GaN单晶衬底的关键技术,由于生长速率较高,如何控制大尺寸GaN高速率高均匀性生长对于获得高质量GaN衬底具有重要意义。本文针对自主设计研制的6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用HVPE设备,通过数值模拟和实际生...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延晶体生长数值模拟厚度不均匀性

切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备被引量：3: 《人工晶体学报》2023年第6期1007-1015,共9页汪正鹏张崇德孙新雨胡天澄崔梅张贻俊巩贺贺任芳芳顾书林张荣叶建东; 国家重点研发计划(2022YFB3605403);国家自然科学基金(62234007,62293521,U21A20503,U21A2071);广东省重点研发计划(2020B010174002)。; 本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇...; 关键词：超宽禁带半导体氧化镓薄膜金属有机物化学气相沉积日盲紫外光电探测器切割角外延

分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究: 《人工晶体学报》2023年第5期783-790,共8页梁潇李思琦王中伟邵鹏飞陈松林陶涛谢自力刘斌陈敦军郑有炓张荣王科; 国家重点研发计划(2022YFB3605602);国家自然科学基金(61974065);江苏省重点研发计划(BE2020004-3,BE2021026);江苏省特聘教授项目。; 实现电学性能优良的高Al组分AlGaN外延层是制备深紫外光电器件最重要的环节之一。本工作利用分子束外延(MBE)技术,基于周期热脱附的生长方式,通过改变Al源供应量调控Al组分,并用Si进行n型掺杂,在AlN/蓝宝石衬底上得到了系列高Al组分的Si...; 关键词：高Al组分AlGaN 分子束外延 Si掺杂载流子特性周期热脱附

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展被引量：2: 《科学通报》2023年第14期1741-1752,共12页韩根全王轶博徐文慧巩贺贺游天桂郝景刚欧欣叶建东张荣郝跃; 国家自然科学基金(62293520,62293521,62293522,62204255,62234007)资助。; 超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的...; 关键词：氧化镓晶体管异质集成氧化镍异质结超结

亚稳相Ga_(2)O_(3)异质外延的研究进展: 《电子与封装》2023年第1期96-108,共13页汪正鹏叶建东郝景刚张贻俊况悦巩贺贺任芳芳顾书林张荣; 国家自然科学基金(62234007,U21A20503和U21A2071)。; 作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_(2)O_(3))被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga_(2)O_(3),亚稳相Ga_(2)O_(3)表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质...; 关键词：超宽禁带半导体亚稳相Ga_(2)O_(3) 异质外延能带工程

GaN微盘中激子与光子的耦合作用研究: 《光电子技术》2021年第4期254-257,共4页冒小康王凇陈鹏施毅张荣郑有炓; 国家自然科学基金(12074182);固态照明和节能电子协同创新中心,集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);国家电网山东省电力公司电力科学研究院研发基金。; 在硅基GaN-LED上成功制备了不同形状和不同尺寸的微盘。通过角分辨光谱研究了圆形和不同尺寸的六边形微盘中光与激子的耦合作用。证明了微盘中共振模式的数量和强度对光与激子间的耦合作用的影响,为实现室温下GaN微盘的激子极化激元提...; 关键词：氮化镓微盘共振模式激子极化激元

基于蓝绿光Micro-LED的可见光通信芯片调制带宽研究被引量：6: 《半导体光电》2021年第4期469-473,487,共6页王轩陶涛刘斌许非凡梁师豪苗涛刘晓燕智婷谢自力张荣郑有炓; 国家重点研发计划项目(2017YFB0404101);国家自然科学基金项目(61974062,62074077,62004104);江苏省自然科学基金项目(BK20180747);江苏省基础研究计划项目(BK20202005);固态照明与节能电子学协同创新中心项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(021014380168)。; 基于氮化镓微米LED(Micro-LED)的可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术成为近年来的研究热点。通过深紫外光刻技术制备了小尺寸的氮化镓基蓝/绿光Micro-LED芯片,深入研究了40~10μm不同尺寸Micro-LED器件的性能,以及其作为...; 关键词：可见光通信(VLC) Micro-LED 调制带宽氮化镓

GaN三角脊光场分布研究: 《光电子技术》2019年第4期232-237,共6页葛成陈鹏周婧李一萌杨云飞冒小康张熬施毅张荣郑有炓; 国家重点研发计划项目(2016YFB0400100,2016YFB0400602);国家自然科学基金(61674076,61422401,51461135002);固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏省重点学科资助计划;江苏省六大人才高峰(XYDXX-081);集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);南京大学扬州光电研究院研发基金;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金; 使用时域有限差分法(FDTD)研究了蓝宝石衬底上的GaN三角脊的光学特性。分析了不同顶角角度的GaN三角脊的截面光场分布,结果表明,三角脊结构可以有效地使光聚集在顶部。分析了不同顶角角度下GaN三角脊的截面电场强度的最大值,结果表明,...; 关键词：氮化镓三角脊时域有限差分法(FDTD) 电场强度

结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：3: 《物理学报》2019年第24期288-294,共7页刘燕丽王伟董燕陈敦军张荣郑有炓; 国家自然科学基金重点项目(批准号:61634002);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61804089);国家自然科学基金联合基金(批准号:U1830109);山东省高等学校科技计划(批准号:J16LN04);烟台市重点研发计划(批准号:2017ZH064)资助的课题~~; 基于漂移-扩散传输模型、费米狄拉克统计模型以及Shockley-Read-Hall复合模型等,通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程以及载流子连续性方程,模拟研究了材料结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响及其物理机制.结果表明...; 关键词：N极性面GaN/InAlN 高电子迁移率晶体管结构参数电学性能

半导体的禁带宽度与温度关系研究被引量：3: 《光电子技术》2019年第3期160-167,共8页张熬陈鹏周婧李一萌杨云飞冒小康葛成施毅张荣郑有炓; 国家重点研发计划项目(2016YFB0400102);国家自然科学基金(61674076,61422401,51461135002);江苏省自然科学基金(BY2013077,BK20141320,BE2015111);固态照明与节能电子学协同创新中心,江苏省重点学科资助计划,江苏省六大人才高峰(XYDXX-081);集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);南京大学扬州光电研究院研发基金;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金; 半导体禁带宽度Eg与温度的依赖关系Eg(T)是一个基础的理论课题,对材料特性的认识具有极其重要的意义。目前,对不同半导体材料的Eg(T)研究存在多种半经验的理论模型,尚未形成定论,所以该课题仍然是一个基础研究的热点。文章梳理了近几十...; 关键词：带隙温度依赖 Varshni模型能带收缩声子色散声子特性热导率迁移率

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