ALGAN

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用于高效光提取的深紫外LED封装体设计与优化
《发光学报》2025年第4期553-564,共12页康闻宇 尹君 黄家新 项磊磊 康俊勇 
国家重点研发计划(2022YFB3605103);国家自然科学基金(62234001)。
针对AlGaN基深紫外LED出光效率低的难题,设计了氟树脂紧密粘合的石英透镜封装结构,有效解决了倒装结构LED光子从蓝宝石衬底出射时较大内全反射损失的难题。研究表明,较薄的界面氟树脂结合层可形成相对匹配的折射率过渡,实现光子出射最大...
关键词：ALGAN 深紫外LED 光提取 封装结构 
基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基DUV Micro-LED光提取效率
《机电工程技术》2025年第3期47-51,共5页刘欢 杨涛 王铠尧 刘宁炀 周文 谭起龙 
国家重点研发计划课题(2023YFB3609703);广东省自然科学基金(2023A1515011175);广州市基础与应用基础研究专题(2024A04J00263);广东省科学院科技计划项目(2022GDASZH-2022010111,2023GDASZH-2023030601-02)。
内全反射是限制AlGaN基深紫外微型发光二极管(DUV Micro-LED)光提取效率的重要因素之一,严重降低了深紫外LED的能量利用率和寿命。受到昆虫复眼结构高能量利用率的启发,提出了一种基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基Micro-LED光提取效率...
关键词：深紫外微型发光二极管 光提取效率 平面复眼透镜 
基于锥形超晶格p-AlInGaN层的AlGaN基深紫外发光二极管性能优化
《原子与分子物理学报》2025年第1期101-107,共7页许愿 张傲翔 张鹏飞 王芳 刘俊杰 刘玉怀 
国家自然科学基金(62174148);国家重点研发计划(2022YFE0112000,2016YFE0118400);河南省国际科技合作重点项目(231111520300);宁波市“科技创新2025”重大专项(2019B10129);智汇郑州·1125聚才计划(ZZ2018-45)。
为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内...
关键词：深紫外发光二极管 ALINGAN 锥形超晶格 内部量子效率 辐射复合 
Molecular beam epitaxial growth and physical properties of AlN/GaN superlattices with an average 50% Al composition
《Chinese Physics B》2024年第12期376-381,共6页Siqi Li Pengfei Shao Xiao Liang Songlin Chen Zhenhua Li Xujun Su Tao Tao Zili Xie Bin Liu M.Ajmal Khan Li Wang T.T.Lin Hideki Hirayama Rong Zhang Ke Wang 
Project supported by the National Key R&D Program of China(Grant No.2022YFB3605600);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61974065);the Key R&D Project of Jiangsu Province,China(Grant Nos.BE2020004-3 and BE2021026);Postdoctoral Fellowship Program of CPSF(Grant No.GZC20231098);the Jiangsu Special Professorship;Collaborative Innovation Center of Solid State Lighting and Energy-saving Electronics。
We report molecular beam epitaxial growth and electrical and ultraviolet light emitting properties of(AlN)m/(GaN)n superlattices(SLs),where m and n represent the numbers of monolayers.Clear satellite peaks observed in...
关键词：ALGAN superlattices(SLs) molecular beam epitaxy(MBE) 
Deep localization features of photoluminescence in narrow AlGaN quantum wells
《Optoelectronics Letters》2024年第12期736-740,共5页DENG Jianyang LI Rui GUO Ya'nan WANG Junxi WANG Chengxin JI Ziwu 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62135013,62274163 and 52272157);the Wuxi Innovation and Entrepreneurship Fund“Taihu Light”Science and Technology(Fundamental Research)Project(No.K20231002)。
The research prepared two deep ultraviolet(DUV)AlGaN-based multiple quantum well(MQW)samples with the same Al content in the QWs but different well widths(3 nm for Sample A and 2 nm for Sample B).Photoluminescence(PL)...
关键词：ALGAN QUANTUM NARROW 
Configuration design of a 2D graphene/3D AlGaN van der Waals junction for high-sensitivity and self-powered ultraviolet detection and imaging
《Photonics Research》2024年第9期1858-1867,共10页YUANYUAN YUE YANG CHEN JIANHUA JIANG LIN YAO HAIYU WANG SHANLI ZHANG YUPING JIA KE JIANG XIAOJUAN SUN DABING LI 
Natural Science Foundation of Jilin Province(20230101107JC,20230101345JC,20230508132RC);Science and Technology Research Project of Education Department of Jilin Province(JJKH20230183KJ);National Natural Science Foundation of China(61827813,62074147,62121005,62374165);Young Elite Scientists Sponsorship Program by CAST(2023QNRC001);General Project from Jilin University of Finance and Economics.
Two-dimensional(2D)graphene has emerged as an excellent partner for solving the scarcity of ultraviolet photodetectors based on three-dimensional(3D)AlGaN,in which the design of a 2D graphene/3D AlGaN junction becomes...
关键词：ALGAN ULTRAVIOLET CONFIGURATION 
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构双极特性的研究
《北华航天工业学院学报》2024年第4期5-8,共4页韩铁成 彭晓灿 
北华航天工业学院博士基金项目(BKY-2021-16)。
通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层...
关键词：AlGaN/GaN/AlGaN 二维电子气 AlGaN缓冲层 二维空穴气 
AlGaN基深紫外LED光源灭活柯萨奇病毒研究
《发光学报》2024年第8期1391-1397,共7页吴郁 蓝习瑜 张梓睿 吴章鑫 刘忠宇 杨玲佳 张山丽 徐可 贲建伟 
国家重点研发计划(2022YFB3605000,2022YFC2704401,2022YFB3605102,2018YFB0703704,2017YFB0405401);吉林省博士后资助项目。
为探究在高温热处理AlN模板上制备的不同发光波长AlGaN基LED器件对病毒的灭活效率,本工作在发光波长257~294 nm范围内制备了7组不同发光波长AlGaN基深紫外LED器件,并探究其对柯萨奇病毒灭活效率。实验结果表明,高温热处理AlN模板可以将...
关键词：高温热处理 AlN模板 ALGAN LED 病毒灭活 
Highly efficient AlGaN-based deep-ultraviolet lightemitting diodes:from bandgap engineering to device craft
《Microsystems & Nanoengineering》2024年第4期343-353,共11页Xu Liu Zhenxing Lv Zhefu Liao Yuechang Sun Ziqi Zhang Ke Sun Qianxi Zhou Bin Tang Hansong Geng Shengli Qi Shengjun Zhou 
financial support from the National Natural Science Foundation of China(Nos.52075394 and 51675386);the National Key Research and Development Program of China(Nos.2021YFB3600200 and 2022YFB3603603);the Key Research and Development Program of Hubei Province(No.2023BAB137);the Knowledge Innovation Program of Wuhan-Basic Research,the Fundamental Research Funds for the Central Universities,and the National Youth Talent Support Program.
AlGaN-based light-emitting diodes(LEDs)operating in the deep-ultraviolet(DUV)spectral range(210–280 nm)have demonstrated potential applications in physical sterilization.However,the poor external quantum efficiency(E...
关键词：ALGAN DIODES ultraviolet 
基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
《发光学报》2024年第7期1156-1162,共7页申国文 鲁麟 许福军 吕琛 高文根 代广珍 
国家自然科学基金(61306108);教育部留学回国人员科研启动基金(2013693);安徽工程大学拔尖人才计划(20190508)。
通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升。由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率。这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴...
关键词：ALGAN 深紫外发光二极管 电子阻挡层 
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